ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - Arrays | असतत अर्धचालक उत्पाद | 7

2N7335

भाग स्टॉक: 2928

एफईटी प्रकार: 4 P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 750mA, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 250µA,

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

2N7334

भाग स्टॉक: 2895

एफईटी प्रकार: 4 N-Channel, एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 1A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 700 mOhm @ 600mA, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 250µA,

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

APTC60DSKM24T3G

भाग स्टॉक: 765

एफईटी प्रकार: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), एफईटी फ़ीचर: Super Junction, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 600V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 95A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3.9V @ 5mA,

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

APTM100H45STG

भाग स्टॉक: 605

एफईटी प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 1000V (1kV), करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 18A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 540 mOhm @ 9A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

APTMC120TAM33CTPAG

भाग स्टॉक: 107

एफईटी प्रकार: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), एफईटी फ़ीचर: Silicon Carbide (SiC), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 1200V (1.2kV), करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 78A (Tc), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 33 mOhm @ 60A, 20V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 3mA (Typ),

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

APTM50H14FT3G

भाग स्टॉक: 1149

एफईटी प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 500V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 26A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 168 mOhm @ 13A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 1mA,

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

APTMC120AM25CT3AG

भाग स्टॉक: 283

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), एफईटी फ़ीचर: Silicon Carbide (SiC), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 1200V (1.2kV), करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 113A (Tc), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 25 mOhm @ 80A, 20V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 4mA (Typ),

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Microsemi Corporation

APTSM120AM08CT6AG

भाग स्टॉक: 144

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), Schottky, एफईटी फ़ीचर: Silicon Carbide (SiC), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 1200V (1.2kV), करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 370A (Tc), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 10 mOhm @ 200A, 20V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 10mA,

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Microsemi Corporation

APTSM120TAM33CTPAG

भाग स्टॉक: 177

एफईटी प्रकार: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), एफईटी फ़ीचर: Silicon Carbide (SiC), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 1200V (1.2kV), करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 112A (Tc), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 33 mOhm @ 60A, 20V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 3mA,

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Microsemi Corporation

APTSM120AM09CD3AG

भाग स्टॉक: 195

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Silicon Carbide (SiC), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 1200V (1.2kV), करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 337A (Tc), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 11 mOhm @ 180A, 20V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 9mA,

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

APTSM120AM14CD3AG

भाग स्टॉक: 248

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), Schottky, एफईटी फ़ीचर: Silicon Carbide (SiC), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 1200V (1.2kV), करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 337A (Tc), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 11 mOhm @ 180A, 20V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 9mA,

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Microsemi Corporation

APTSM120AM55CT1AG

भाग स्टॉक: 589

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), Schottky, एफईटी फ़ीचर: Silicon Carbide (SiC), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 1200V (1.2kV), करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 74A (Tc), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 50 mOhm @ 40A, 20V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 2mA,

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Microsemi Corporation

APTSM120AM25CT3AG

भाग स्टॉक: 290

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), Schottky, एफईटी फ़ीचर: Silicon Carbide (SiC), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 1200V (1.2kV), करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 148A (Tc), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 25 mOhm @ 80A, 20V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 4mA,

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

APTMC120AM08CD3AG

भाग स्टॉक: 68

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), एफईटी फ़ीचर: Silicon Carbide (SiC), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 1200V (1.2kV), करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 250A (Tc), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 10 mOhm @ 200A, 20V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 10mA (Typ),

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Microsemi Corporation

APTM50HM65FT3G

भाग स्टॉक: 692

एफईटी प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 500V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 51A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTM50AM38STG

भाग स्टॉक: 559

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 500V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 90A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 45 mOhm @ 45A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 5mA,

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

APTM100H45SCTG

भाग स्टॉक: 480

एफईटी प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 1000V (1kV), करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 18A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 540 mOhm @ 9A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTM100A13SCG

भाग स्टॉक: 292

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 1000V (1kV), करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 65A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 156 mOhm @ 32.5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 6mA,

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Microsemi Corporation

APTM50AM24SCG

भाग स्टॉक: 372

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), एफईटी फ़ीचर: Silicon Carbide (SiC), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 500V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 150A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 28 mOhm @ 75A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 6mA,

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

APTM120H140FT1G

भाग स्टॉक: 1785

एफईटी प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 1200V (1.2kV), करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 8A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.68 Ohm @ 7A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 1mA,

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Microsemi Corporation

APTM50H10FT3G

भाग स्टॉक: 1187

एफईटी प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 500V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 37A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 120 mOhm @ 18.5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 1mA,

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Microsemi Corporation

APTM100A13DG

भाग स्टॉक: 505

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 1000V (1kV), करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 65A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 156 mOhm @ 32.5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 6mA,

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Microsemi Corporation

APTC60VDAM24T3G

भाग स्टॉक: 1155

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Super Junction, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 600V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 95A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3.9V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTM100H45FT3G

भाग स्टॉक: 858

एफईटी प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 1000V (1kV), करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 18A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 540 mOhm @ 9A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

APTM100A18FTG

भाग स्टॉक: 728

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 1000V (1kV), करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 43A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 210 mOhm @ 21.5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 5mA,

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

APTMC120TAM12CTPAG

भाग स्टॉक: 63

एफईटी प्रकार: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), एफईटी फ़ीचर: Silicon Carbide (SiC), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 1200V (1.2kV), करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 220A (Tc), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 12 mOhm @ 150A, 20V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.4V @ 30mA (Typ),

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Microsemi Corporation

APTM20HM20FTG

भाग स्टॉक: 799

एफईटी प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 200V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 89A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 24 mOhm @ 44.5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTC60HM70T3G

भाग स्टॉक: 1635

एफईटी प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 600V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 39A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 70 mOhm @ 39A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3.9V @ 2.7mA,

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Microsemi Corporation

APTC60AM35SCTG

भाग स्टॉक: 860

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 600V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 72A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 35 mOhm @ 36A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3.9V @ 2mA,

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Microsemi Corporation

APTC80DDA15T3G

भाग स्टॉक: 1954

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 800V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 28A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 150 mOhm @ 14A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3.9V @ 2mA,

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Microsemi Corporation

APTM50HM75FT3G

भाग स्टॉक: 880

एफईटी प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 500V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 46A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 90 mOhm @ 23A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTC60AM242G

भाग स्टॉक: 951

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 600V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 95A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3.9V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTM50AM19FG

भाग स्टॉक: 440

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 500V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 163A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 22.5 mOhm @ 81.5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 10mA,

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Microsemi Corporation

APTM120DU15G

भाग स्टॉक: 383

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 1200V (1.2kV), करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 60A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 175 mOhm @ 30A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 10mA,

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Microsemi Corporation

APTC60DDAM35T3G

भाग स्टॉक: 1490

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 600V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 72A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 35 mOhm @ 72A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3.9V @ 5.4mA,

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Microsemi Corporation

APTC60TAM24TPG

भाग स्टॉक: 401

एफईटी प्रकार: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), एफईटी फ़ीचर: Super Junction, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 600V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 95A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3.9V @ 5mA,

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