ट्रांजिस्टर - द्विध्रुवी (BJT) - Arrays

घर
ट्रांजिस्टर - द्विध्रुवी (BJT) - Arrays

Microsemi Corporation

2N2919U

भाग स्टॉक: 1529

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 100µA, 1mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

2N3810U

भाग स्टॉक: 2166

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 100µA, 1mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

2N2060L

भाग स्टॉक: 2121

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

2N6987

भाग स्टॉक: 1248

ट्रांजिस्टर प्रकार: 4 PNP (Quad), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.6V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

2N6988

भाग स्टॉक: 1523

ट्रांजिस्टर प्रकार: 4 PNP (Quad), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.6V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

2N2919L

भाग स्टॉक: 2004

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 100µA, 1mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

2N2920U

भाग स्टॉक: 161

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 100µA, 1mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

2N3838

भाग स्टॉक: 1633

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 15mA, 150mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

2N2920L

भाग स्टॉक: 2061

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 100µA, 1mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

2N6990

भाग स्टॉक: 1262

ट्रांजिस्टर प्रकार: 4 NPN (Quad), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

2N5795

भाग स्टॉक: 1968

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.6V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

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Microsemi Corporation

2N2920

भाग स्टॉक: 2258

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 100µA, 1mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

2N3810L

भाग स्टॉक: 4091

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 100µA, 1mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

2N2919

भाग स्टॉक: 2136

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 100µA, 1mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

2N3810

भाग स्टॉक: 3259

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 100µA, 1mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

2N6989

भाग स्टॉक: 4437

ट्रांजिस्टर प्रकार: 4 NPN (Quad), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

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Microsemi Corporation

2N3811L

भाग स्टॉक: 4456

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 100µA, 1mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

2N3811U

भाग स्टॉक: 4453

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 100µA, 1mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

2N3811

भाग स्टॉक: 4521

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 100µA, 1mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

JANTXV2N6990

भाग स्टॉक: 1050

ट्रांजिस्टर प्रकार: 4 NPN (Quad), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

SG2013J-883B

भाग स्टॉक: 1020

ट्रांजिस्टर प्रकार: 7 NPN Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.9V @ 600µA, 500mA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 900 @ 500mA, 2V,

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

SG2003J-JAN

भाग स्टॉक: 4491

ट्रांजिस्टर प्रकार: 7 NPN Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.6V @ 500µA, 350mA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

SG2803J-883B

भाग स्टॉक: 4488

ट्रांजिस्टर प्रकार: 8 NPN Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.6V @ 500µA, 350mA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

JANTX2N6988

भाग स्टॉक: 4551

ट्रांजिस्टर प्रकार: 4 PNP (Quad), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.6V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

JANTXV2N3811L

भाग स्टॉक: 4513

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 100µA, 1mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

SG2003J-883B

भाग स्टॉक: 4460

ट्रांजिस्टर प्रकार: 7 NPN Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.6V @ 500µA, 350mA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

JANTXV2N3810

भाग स्टॉक: 1613

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 100µA, 1mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

JAN2N2919L

भाग स्टॉक: 1921

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 100µA, 1mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

JAN2N6987

भाग स्टॉक: 1383

ट्रांजिस्टर प्रकार: 4 PNP (Quad), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.6V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

JANTX2N3810U

भाग स्टॉक: 1675

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 100µA, 1mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

JANTX2N6987

भाग स्टॉक: 1284

ट्रांजिस्टर प्रकार: 4 PNP (Quad), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.6V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

JANTXV2N3810L

भाग स्टॉक: 163

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 100µA, 1mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

JANTXV2N2920

भाग स्टॉक: 1620

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V,

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Microsemi Corporation

JANSR2N3810U

भाग स्टॉक: 301

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 1mA, 100µA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

JANTX2N2060L

भाग स्टॉक: 980

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

JAN2N2060L

भाग स्टॉक: 1262

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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