डायोड - रेक्टीफायर्स - Arrays

घर
डायोड - रेक्टीफायर्स - Arrays

Microsemi Corporation

APT15D100BHBG

भाग स्टॉक: 3846

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 2.3V @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

MSCD120-12

भाग स्टॉक: 3126

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 120A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.43V @ 300A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

MSKD70-12

भाग स्टॉक: 3640

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 70A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.48V @ 200A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

MSCD200-12

भाग स्टॉक: 1707

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 300A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

MSCD200-16

भाग स्टॉक: 1634

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 300A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

MSCD60-12

भाग स्टॉक: 3374

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 60A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 200A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

MSCD60-16

भाग स्टॉक: 3713

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 60A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 200A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

MSKD165-16

भाग स्टॉक: 1961

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 165A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.4V @ 300A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

FST30100

भाग स्टॉक: 15979

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 850mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

MBR3045CTE3/TU

भाग स्टॉक: 83378

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 700mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

MBR3045FCTE3/TU

Microsemi Corporation

MBR3045FCTE3/TU

भाग स्टॉक: 83376

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 700mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

MBR3040FCTE3/TU

Microsemi Corporation

MBR3040FCTE3/TU

भाग स्टॉक: 83345

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 700mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

MSCD36-08

भाग स्टॉक: 161

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 800V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 36A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 100A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

MBR3060FCTE3/TU

Microsemi Corporation

MBR3060FCTE3/TU

भाग स्टॉक: 83401

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 750mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

MBR3090FCTE3/TU

Microsemi Corporation

MBR3090FCTE3/TU

भाग स्टॉक: 83419

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 90V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 800mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

MBR3050CTE3/TU

भाग स्टॉक: 83420

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 750mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

MBR30100CTE3/TU

Microsemi Corporation

MBR30100CTE3/TU

भाग स्टॉक: 83396

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 800mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

S16-4150E3/TR13

Microsemi Corporation

S16-4150E3/TR13

भाग स्टॉक: 33996

डायोड विन्यास: 8 Independent, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 75V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 400mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 200mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

MBR40100PTE3/TU

Microsemi Corporation

MBR40100PTE3/TU

भाग स्टॉक: 77627

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 40A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

S8-4148E3/TR7

भाग स्टॉक: 35633

डायोड विन्यास: 4 Independent, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 75V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 400mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

S16-4148E3/TR13

Microsemi Corporation

S16-4148E3/TR13

भाग स्टॉक: 33968

डायोड विन्यास: 8 Independent, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 75V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 400mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

S8-4148/TR13

भाग स्टॉक: 29651

डायोड विन्यास: 4 Independent, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 75V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 400mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

S8-4150E3/TR7

भाग स्टॉक: 35658

डायोड विन्यास: 4 Independent, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 400mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 200mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

S8-4150E3/TR13

भाग स्टॉक: 44423

डायोड विन्यास: 4 Independent, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 400mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 200mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

MBR3040CTE3/TU

भाग स्टॉक: 83326

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 700mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

MBR3060CTE3/TU

भाग स्टॉक: 83324

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 750mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

S16-4148E3/TR7

भाग स्टॉक: 27341

डायोड विन्यास: 8 Independent, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 75V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 400mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

S16-4150/TR13

भाग स्टॉक: 27323

डायोड विन्यास: 8 Independent, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 400mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 200mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

MBR3080FCTE3/TU

Microsemi Corporation

MBR3080FCTE3/TU

भाग स्टॉक: 83408

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 800mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

S16-4148/TR7

भाग स्टॉक: 20355

डायोड विन्यास: 8 Independent, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 75V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 400mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

S16-4148/TR13

भाग स्टॉक: 27309

डायोड विन्यास: 8 Independent, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 75V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 400mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

S8-4148/TR7

भाग स्टॉक: 23783

डायोड विन्यास: 4 Independent, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 75V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 400mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

MBR3050FCTE3/TU

Microsemi Corporation

MBR3050FCTE3/TU

भाग स्टॉक: 83385

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 750mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

S8-4150/TR7

भाग स्टॉक: 23768

डायोड विन्यास: 4 Independent, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 400mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 200mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

MBR20200CTE3/TU

Microsemi Corporation

MBR20200CTE3/TU

भाग स्टॉक: 83329

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 950mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

MBR3080CTE3/TU

भाग स्टॉक: 83384

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 800mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

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