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ट्रांजिस्टर - बाइपोलर (BJT) - सिंगल, प्री-बायस्ड

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BCR555E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR555E6327HTSA1

भाग स्टॉक: 169612

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR142E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR142E6327HTSA1

भाग स्टॉक: 111124

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR198E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR198E6327HTSA1

भाग स्टॉक: 196205

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 47 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR183E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR183E6327HTSA1

भाग स्टॉक: 112554

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR533E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR533E6327HTSA1

भाग स्टॉक: 148436

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR148E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR148E6327HTSA1

भाग स्टॉक: 179063

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 47 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR133E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR133E6327HTSA1

भाग स्टॉक: 117390

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR505E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR505E6327HTSA1

भाग स्टॉक: 155798

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR108E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR108E6327HTSA1

भाग स्टॉक: 107313

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR503E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR503E6327HTSA1

भाग स्टॉक: 187004

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 2.2 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR135E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR135E6327HTSA1

भाग स्टॉक: 185332

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR523E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR523E6327HTSA1

भाग स्टॉक: 192928

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 1 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR116E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR116E6327HTSA1

भाग स्टॉक: 185599

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR553E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR553E6327HTSA1

भाग स्टॉक: 184944

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 2.2 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR555E6433HTMA1
Infineon Technologies

BCR555E6433HTMA1

भाग स्टॉक: 167043

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR573E6433HTMA1
Infineon Technologies

BCR573E6433HTMA1

भाग स्टॉक: 194775

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 1 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR573E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR573E6327HTSA1

भाग स्टॉक: 169525

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 1 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR523E6433HTMA1
Infineon Technologies

BCR523E6433HTMA1

भाग स्टॉक: 168743

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 1 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR583E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR583E6327HTSA1

भाग स्टॉक: 160056

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR521E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR521E6327HTSA1

भाग स्टॉक: 128154

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 1 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 1 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR112E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR112E6327HTSA1

भाग स्टॉक: 162905

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 4.7 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR142WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR142WH6327XTSA1

भाग स्टॉक: 167474

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR185WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR185WH6327XTSA1

भाग स्टॉक: 127612

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR148E6433HTMA1
Infineon Technologies

BCR148E6433HTMA1

भाग स्टॉक: 122157

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 47 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR166E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR166E6327HTSA1

भाग स्टॉक: 175753

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR185E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR185E6327HTSA1

भाग स्टॉक: 117094

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR133E6433HTMA1
Infineon Technologies

BCR133E6433HTMA1

भाग स्टॉक: 166891

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR108WH6433XTMA1
Infineon Technologies

BCR108WH6433XTMA1

भाग स्टॉक: 152662

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR196WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR196WH6327XTSA1

भाग स्टॉक: 168903

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 70mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 47 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 22 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR198WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR198WH6327XTSA1

भाग स्टॉक: 142688

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 47 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR191WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR191WH6327XTSA1

भाग स्टॉक: 172560

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 22 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR112WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR112WH6327XTSA1

भाग स्टॉक: 124099

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 4.7 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR148WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR148WH6327XTSA1

भाग स्टॉक: 121396

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 47 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR183WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR183WH6327XTSA1

भाग स्टॉक: 182729

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR108WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR108WH6327XTSA1

भाग स्टॉक: 111326

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR158WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR158WH6327XTSA1

भाग स्टॉक: 106810

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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