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ट्रांजिस्टर - बाइपोलर (BJT) - सिंगल, प्री-बायस्ड

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BCR192WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR192WE6327HTSA1

भाग स्टॉक: 1884

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR 192T E6327
Infineon Technologies

BCR 192T E6327

भाग स्टॉक: 1842

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR 192F E6327
Infineon Technologies

BCR 192F E6327

भाग स्टॉक: 1916

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR 192L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 192L3 E6327

भाग स्टॉक: 1847

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR 192 B6327
Infineon Technologies

BCR 192 B6327

भाग स्टॉक: 1847

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR191WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR191WE6327HTSA1

भाग स्टॉक: 3227

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 22 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR 191L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 191L3 E6327

भाग स्टॉक: 1904

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 22 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR 191T E6327
Infineon Technologies

BCR 191T E6327

भाग स्टॉक: 1869

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 22 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR 189T E6327
Infineon Technologies

BCR 189T E6327

भाग स्टॉक: 1877

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR 191F E6327
Infineon Technologies

BCR 191F E6327

भाग स्टॉक: 1883

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 22 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR 189F E6327
Infineon Technologies

BCR 189F E6327

भाग स्टॉक: 1898

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR 189L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 189L3 E6327

भाग स्टॉक: 3268

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR185WE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR185WE6327BTSA1

भाग स्टॉक: 1845

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR 185T E6327
Infineon Technologies

BCR 185T E6327

भाग स्टॉक: 1848

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR 185F E6327
Infineon Technologies

BCR 185F E6327

भाग स्टॉक: 1892

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR 185L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 185L3 E6327

भाग स्टॉक: 1871

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR183WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR183WE6327HTSA1

भाग स्टॉक: 1865

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR 183T E6327
Infineon Technologies

BCR 183T E6327

भाग स्टॉक: 1847

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR 183L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 183L3 E6327

भाग स्टॉक: 1907

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR 183F E6327
Infineon Technologies

BCR 183F E6327

भाग स्टॉक: 3202

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR 183 B6327
Infineon Technologies

BCR 183 B6327

भाग स्टॉक: 1927

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR 179T E6327
Infineon Technologies

BCR 179T E6327

भाग स्टॉक: 1862

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR 179L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 179L3 E6327

भाग स्टॉक: 1836

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR 179F E6327
Infineon Technologies

BCR 179F E6327

भाग स्टॉक: 1917

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR169WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR169WE6327HTSA1

भाग स्टॉक: 1909

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR 169T E6327
Infineon Technologies

BCR 169T E6327

भाग स्टॉक: 3183

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR 169L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 169L3 E6327

भाग स्टॉक: 1869

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR 169F E6327
Infineon Technologies

BCR 169F E6327

भाग स्टॉक: 1913

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR 166T E6327
Infineon Technologies

BCR 166T E6327

भाग स्टॉक: 1873

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR 166L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 166L3 E6327

भाग स्टॉक: 1856

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR 166F E6327
Infineon Technologies

BCR 166F E6327

भाग स्टॉक: 1832

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR166B6327HTLA1
Infineon Technologies

BCR166B6327HTLA1

भाग स्टॉक: 1908

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR 164L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 164L3 E6327

भाग स्टॉक: 1830

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR 164T E6327
Infineon Technologies

BCR 164T E6327

भाग स्टॉक: 3231

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR 164F E6327
Infineon Technologies

BCR 164F E6327

भाग स्टॉक: 1842

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCR 162T E6327
Infineon Technologies

BCR 162T E6327

भाग स्टॉक: 1839

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 4.7 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

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