डायोड - ब्रिज रेक्टीफायर्स

GBPC3506M T0G

GBPC3506M T0G

भाग स्टॉक: 88

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 35A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 17.5A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 600V,

GBU1003HD2G

GBU1003HD2G

भाग स्टॉक: 96

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 10A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 200V,

TS8P01G C2G

TS8P01G C2G

भाग स्टॉक: 137

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 8A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 8A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 10µA @ 50V,

DBLS102G C1G

DBLS102G C1G

भाग स्टॉक: 173

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 2µA @ 100V,

GBL06HD2G

GBL06HD2G

भाग स्टॉक: 135

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 4A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 4A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 600V,

GBPC3508 T0G

GBPC3508 T0G

भाग स्टॉक: 147

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 35A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 17.5A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 800V,

GBPC1508M T0G

GBPC1508M T0G

भाग स्टॉक: 88

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 7.5A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 800V,

GBU1006HD2G

GBU1006HD2G

भाग स्टॉक: 129

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 10A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 800V,

GBLA02 D2G

GBLA02 D2G

भाग स्टॉक: 124

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 4A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 4A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 200V,

TS50P06GHD2G

TS50P06GHD2G

भाग स्टॉक: 152

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 50A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 25A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 10µA @ 800V,

TS10P05G C2G

TS10P05G C2G

भाग स्टॉक: 126

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 10A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 10µA @ 600V,

DBLS105G C1G

DBLS105G C1G

भाग स्टॉक: 73

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 2µA @ 600V,

DBL105GHC1G

DBL105GHC1G

भाग स्टॉक: 129

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 2µA @ 600V,

TS4K80 D3G

TS4K80 D3G

भाग स्टॉक: 68

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 4A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 4A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 10µA @ 800V,

GBL202 D2G

GBL202 D2G

भाग स्टॉक: 164

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 2A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 100V,

GBU606-G

GBU606-G

भाग स्टॉक: 71604

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 6A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 3A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 10µA @ 600V,

Z4GP206-HF

Z4GP206-HF

भाग स्टॉक: 175746

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 2A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 600V,

GBPC5004W-G

GBPC5004W-G

भाग स्टॉक: 28636

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 50A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 25A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 10µA @ 400V,

KBL4005-G

KBL4005-G

भाग स्टॉक: 168157

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 4A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 4A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 10µA @ 50V,

GBJ2506-04-G

GBJ2506-04-G

भाग स्टॉक: 119

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 25A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 12.5A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 10µA @ 600V,

KBU3501-G

KBU3501-G

भाग स्टॉक: 69226

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 4.2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 17.5A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 10µA @ 100V,

CDBHM180L-G

CDBHM180L-G

भाग स्टॉक: 119230

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Schottky, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 850mV @ 1A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 500µA @ 80V,

GBU608-G

GBU608-G

भाग स्टॉक: 69574

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 6A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 3A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 10µA @ 800V,

KBPC1504W-G

KBPC1504W-G

भाग स्टॉक: 45832

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 7.5A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 10µA @ 400V,

KBU1008-G

KBU1008-G

भाग स्टॉक: 84946

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 5A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 10µA @ 600V,

KBU35005-G

KBU35005-G

भाग स्टॉक: 52339

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 35A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 17.5A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 10µA @ 50V,

GBL01-M3/45

GBL01-M3/45

भाग स्टॉक: 117637

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 4A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 4A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 100V,

MB2M-E3/45

MB2M-E3/45

भाग स्टॉक: 162046

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 500mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 400mA, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 200V,

G2SB80-E3/45

G2SB80-E3/45

भाग स्टॉक: 173208

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 750mA, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 50µA @ 600V,

G2SB60-E3/45

G2SB60-E3/45

भाग स्टॉक: 173154

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 750mA, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 200V,

CBR2-L060M

CBR2-L060M

भाग स्टॉक: 133787

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 2A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 10µA @ 600V,

CBR2-L020M

CBR2-L020M

भाग स्टॉक: 135700

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 2A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 10µA @ 200V,

CBR2-L100M

CBR2-L100M

भाग स्टॉक: 125204

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 1kV, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 2A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 10µA @ 1000V,

MD130S16M3-BP

MD130S16M3-BP

भाग स्टॉक: 1494

डायोड प्रकार: Three Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 1.6kV, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 130A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 300A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 300µA @ 1600V,

KMB26STR

KMB26STR

भाग स्टॉक: 148

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Schottky, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 700mV @ 2A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100µA @ 60V,

KMB245STR

KMB245STR

भाग स्टॉक: 175

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Schottky, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 550mV @ 2A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100µA @ 45V,