संवेदन दूरी: 0.157" (4mm), संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 32V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 50mA, उत्पादन का प्रकार: Phototransistor,
संवेदन दूरी: 0.591" (15mm), संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 70V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 60mA, उत्पादन का प्रकार: Phototransistor,
संवेदन दूरी: 0.300" (7.62mm), संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 40mA, उत्पादन का प्रकार: Transistor, Base-Emitter Resistor,
संवेदन दूरी: 0.149" (3.8mm), संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 25mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 40mA, उत्पादन का प्रकार: Phototransistor,
संवेदन दूरी: 0.150" (3.81mm), संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 25mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 40mA, उत्पादन का प्रकार: Transistor,
संवेदन दूरी: 0.050" (1.27mm), संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 15V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 125mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 50mA, उत्पादन का प्रकार: Photodarlington,
संवेदन दूरी: 0.250" (6.35mm), संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 15V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 25mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 50mA, उत्पादन का प्रकार: Photodarlington,
संवेदन दूरी: 0.150" (3.81mm), संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 25mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 40mA, उत्पादन का प्रकार: Phototransistor,
संवेदन दूरी: 3" (76.2mm), संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 50mA, उत्पादन का प्रकार: Phototransistor,
संवेदन दूरी: 0.050" (1.27mm), संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 25mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 50mA, उत्पादन का प्रकार: Phototransistor,
संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 50mA, उत्पादन का प्रकार: Phototransistor,
संवेदन दूरी: 0.150" (3.81mm), संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 40mA, उत्पादन का प्रकार: Phototransistor,
संवेदन दूरी: 0.200" (5.08mm), संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 24V, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 100mA, उत्पादन का प्रकार: Phototransistor,
संवेदन दूरी: 0.220" (5.59mm), संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 24V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 50mA, उत्पादन का प्रकार: Phototransistor,
संवेदन दूरी: 0.250" (6.35mm), संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 25mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 50mA, उत्पादन का प्रकार: Phototransistor,
संवेदन दूरी: 0.150" (3.81mm), संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 50mA, उत्पादन का प्रकार: Phototransistor,
संवेदन दूरी: 0.197" (5mm), संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 50mA, उत्पादन का प्रकार: Phototransistor,
संवेदन दूरी: 0.039" (1mm), संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 50mA, उत्पादन का प्रकार: Phototransistor,
संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 35V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 50mA, उत्पादन का प्रकार: Phototransistor,
संवेदन दूरी: 0.197" (5mm), संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 10mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 50mA, उत्पादन का प्रकार: Phototransistor,
संवेदन दूरी: 0.039" (1mm), संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 35V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 30mA, उत्पादन का प्रकार: Phototransistor,
संवेदन दूरी: 0.168" (4.27mm), संवेदन विधि: Reflective, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 8mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 50mA, उत्पादन का प्रकार: Phototransistor,
संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 60mA, उत्पादन का प्रकार: Phototransistor,
संवेदन दूरी: 0.120" (3.05mm), संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 15V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 50mA, उत्पादन का प्रकार: Phototransistor,
संवेदन दूरी: 0.236" (6mm), संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 30mA, उत्पादन का प्रकार: Phototransistor,
