संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 50mA, उत्पादन का प्रकार: Phototransistor,
संवेदन दूरी: 0.236" (6mm), संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 50mA, उत्पादन का प्रकार: Phototransistor,
संवेदन दूरी: 0.028" (0.7mm), संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 35V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 50mA, उत्पादन का प्रकार: Photodarlington,
संवेदन दूरी: 0.050" (1.27mm), संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 15V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 125mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 50mA, उत्पादन का प्रकार: Photodarlington,
संवेदन दूरी: 0.150" (3.81mm), संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 15V, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 50mA, उत्पादन का प्रकार: Photodarlington,
संवेदन दूरी: 0.149" (3.8mm), संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 6mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 40mA, उत्पादन का प्रकार: Phototransistor,
संवेदन दूरी: 0.150" (3.81mm), संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 15V, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 40mA, उत्पादन का प्रकार: Photodarlington,
संवेदन दूरी: 0.150" (3.81mm), संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 15V, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 50mA, उत्पादन का प्रकार: Transistor, Base-Emitter Resistor,
संवेदन दूरी: 0.200" (5.08mm), संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 24V, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 100mA, उत्पादन का प्रकार: Phototransistor,
संवेदन दूरी: 0.05" (1.27mm), संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 24V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 25mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 50mA, उत्पादन का प्रकार: Phototransistor,
संवेदन दूरी: 1" (25.4mm), संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 50mA, उत्पादन का प्रकार: Phototransistor,
संवेदन दूरी: 0.15" (3.8mm), संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 40mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 50mA, उत्पादन का प्रकार: Phototransistor,
संवेदन दूरी: 0.050" (1.27mm), संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 15V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 60mA, उत्पादन का प्रकार: Phototransistor,
संवेदन दूरी: 0.250" (6.35mm), संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 15V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 50mA, उत्पादन का प्रकार: Photodarlington,
संवेदन दूरी: 0.250" (6.35mm), संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 50mA, उत्पादन का प्रकार: Phototransistor,
संवेदन दूरी: 0.2" (5.08mm), संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 50mA, उत्पादन का प्रकार: Phototransistor,
संवेदन दूरी: 393.701" (10m), संवेदन विधि: Reflective,
संवेदन दूरी: 0.394" ~ 0.787" (10mm ~ 20mm) ADJ, संवेदन विधि: Reflective, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 50mA, उत्पादन का प्रकार: PIN Photodiode,
संवेदन दूरी: 0.210" (5.33mm), संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 2.25V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100µA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 40mA, उत्पादन का प्रकार: Phototransistor,
संवेदन दूरी: 1.5mm, संवेदन विधि: Reflective, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 60mA, उत्पादन का प्रकार: Photodiode,
संवेदन दूरी: 1.5mm, संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 20V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 30mA, उत्पादन का प्रकार: Phototransistor,
संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 35V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 15mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 30mA, उत्पादन का प्रकार: Phototransistor,
संवेदन दूरी: 0.039" ~ 0.197" (1mm ~ 5mm), संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 10mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 50mA, उत्पादन का प्रकार: Phototransistor,
संवेदन दूरी: 0.118" (3mm), संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 60mA, उत्पादन का प्रकार: Phototransistor,
संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 40mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 50mA, उत्पादन का प्रकार: Phototransistor,
संवेदन दूरी: 0.118" (3mm), संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 50mA, उत्पादन का प्रकार: Phototransistor,
संवेदन दूरी: 0.098" (2.5mm), संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 50mA, उत्पादन का प्रकार: Phototransistor,
संवेदन दूरी: 0.039" (1mm), संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 35V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 50mA, उत्पादन का प्रकार: Phototransistor,
संवेदन दूरी: 0.197" (5mm), संवेदन विधि: Reflective, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 100mA, उत्पादन का प्रकार: Photodiode,
संवेदन दूरी: 0.178" (4.5mm), संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 50mA, उत्पादन का प्रकार: Phototransistor,
संवेदन दूरी: 0.197" (5mm), संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 50mA, उत्पादन का प्रकार: Phototransistor,
संवेदन दूरी: 0.079" ~ 0.866" (2mm ~ 22mm) ADJ, संवेदन विधि: Reflective, उत्पादन का प्रकार: Photodiode,
