प्रोग्राम करने योग्य प्रकार: In System Programmable, विलंब समय tpd(1) अधिकतम: 5.0ns, वोल्टेज आपूर्ति - आंतरिक: 1.65V ~ 1.95V, तर्क तत्वों/ब्लॉकों की संख्या: 24, मैक्रोसेल्स की संख्या: 384,
प्रोग्राम करने योग्य प्रकार: In System Programmable, विलंब समय tpd(1) अधिकतम: 7.5ns, वोल्टेज आपूर्ति - आंतरिक: 1.7V ~ 1.9V, तर्क तत्वों/ब्लॉकों की संख्या: 16, मैक्रोसेल्स की संख्या: 256,
प्रोग्राम करने योग्य प्रकार: In System Programmable, विलंब समय tpd(1) अधिकतम: 10.0ns, वोल्टेज आपूर्ति - आंतरिक: 4.75V ~ 5.25V, तर्क तत्वों/ब्लॉकों की संख्या: 20, मैक्रोसेल्स की संख्या: 320, गेट्स की संख्या: 6000,
प्रोग्राम करने योग्य प्रकार: In System Programmable, विलंब समय tpd(1) अधिकतम: 5.4ns, वोल्टेज आपूर्ति - आंतरिक: 2.5V, 3.3V, तर्क तत्वों/ब्लॉकों की संख्या: 570, मैक्रोसेल्स की संख्या: 440,
प्रोग्राम करने योग्य प्रकार: In System Programmable, विलंब समय tpd(1) अधिकतम: 6.0ns, वोल्टेज आपूर्ति - आंतरिक: 3V ~ 3.6V, तर्क तत्वों/ब्लॉकों की संख्या: 32, मैक्रोसेल्स की संख्या: 512, गेट्स की संख्या: 10000,
प्रोग्राम करने योग्य प्रकार: In System Programmable, विलंब समय tpd(1) अधिकतम: 15.0ns, वोल्टेज आपूर्ति - आंतरिक: 4.75V ~ 5.25V, तर्क तत्वों/ब्लॉकों की संख्या: 8, मैक्रोसेल्स की संख्या: 128, गेट्स की संख्या: 2500,
प्रोग्राम करने योग्य प्रकार: In System Programmable, विलंब समय tpd(1) अधिकतम: 15.0ns, वोल्टेज आपूर्ति - आंतरिक: 4.75V ~ 5.25V, तर्क तत्वों/ब्लॉकों की संख्या: 25, मैक्रोसेल्स की संख्या: 400, गेट्स की संख्या: 8000,
प्रोग्राम करने योग्य प्रकार: In System Programmable, विलंब समय tpd(1) अधिकतम: 10.0ns, वोल्टेज आपूर्ति - आंतरिक: 3V ~ 3.6V, तर्क तत्वों/ब्लॉकों की संख्या: 4, मैक्रोसेल्स की संख्या: 64, गेट्स की संख्या: 1250,
प्रोग्राम करने योग्य प्रकार: In System Programmable, विलंब समय tpd(1) अधिकतम: 6.2ns, वोल्टेज आपूर्ति - आंतरिक: 2.5V, 3.3V, तर्क तत्वों/ब्लॉकों की संख्या: 1270, मैक्रोसेल्स की संख्या: 980,
प्रोग्राम करने योग्य प्रकार: EE PLD, विलंब समय tpd(1) अधिकतम: 12.0ns, वोल्टेज आपूर्ति - आंतरिक: 4.75V ~ 5.25V, तर्क तत्वों/ब्लॉकों की संख्या: 10, मैक्रोसेल्स की संख्या: 160, गेट्स की संख्या: 3200,
प्रोग्राम करने योग्य प्रकार: In System Programmable, विलंब समय tpd(1) अधिकतम: 7.5ns, वोल्टेज आपूर्ति - आंतरिक: 3V ~ 3.6V, तर्क तत्वों/ब्लॉकों की संख्या: 16, मैक्रोसेल्स की संख्या: 256, गेट्स की संख्या: 5000,
प्रोग्राम करने योग्य प्रकार: In System Programmable, विलंब समय tpd(1) अधिकतम: 7.5ns, वोल्टेज आपूर्ति - आंतरिक: 2.375V ~ 2.625V, तर्क तत्वों/ब्लॉकों की संख्या: 32, मैक्रोसेल्स की संख्या: 512, गेट्स की संख्या: 10000,
प्रोग्राम करने योग्य प्रकार: EE PLD, विलंब समय tpd(1) अधिकतम: 10.0ns, वोल्टेज आपूर्ति - आंतरिक: 4.75V ~ 5.25V, तर्क तत्वों/ब्लॉकों की संख्या: 8, मैक्रोसेल्स की संख्या: 128, गेट्स की संख्या: 2500,
प्रोग्राम करने योग्य प्रकार: In System Programmable, विलंब समय tpd(1) अधिकतम: 5.4ns, वोल्टेज आपूर्ति - आंतरिक: 2.5V, 3.3V, तर्क तत्वों/ब्लॉकों की संख्या: 570, मैक्रोसेल्स की संख्या: 440,
प्रोग्राम करने योग्य प्रकार: In System Programmable, विलंब समय tpd(1) अधिकतम: 10.0ns, वोल्टेज आपूर्ति - आंतरिक: 4.75V ~ 5.25V, तर्क तत्वों/ब्लॉकों की संख्या: 8, मैक्रोसेल्स की संख्या: 128, गेट्स की संख्या: 2500,
प्रोग्राम करने योग्य प्रकार: In System Programmable, विलंब समय tpd(1) अधिकतम: 7.5ns, वोल्टेज आपूर्ति - आंतरिक: 3V ~ 3.6V, तर्क तत्वों/ब्लॉकों की संख्या: 32, मैक्रोसेल्स की संख्या: 512, गेट्स की संख्या: 10000,
प्रोग्राम करने योग्य प्रकार: In System Programmable, विलंब समय tpd(1) अधिकतम: 10.0ns, वोल्टेज आपूर्ति - आंतरिक: 4.75V ~ 5.25V, तर्क तत्वों/ब्लॉकों की संख्या: 10, मैक्रोसेल्स की संख्या: 160, गेट्स की संख्या: 3200,
प्रोग्राम करने योग्य प्रकार: EE PLD, विलंब समय tpd(1) अधिकतम: 20.0ns, वोल्टेज आपूर्ति - आंतरिक: 4.75V ~ 5.25V, तर्क तत्वों/ब्लॉकों की संख्या: 16, मैक्रोसेल्स की संख्या: 256, गेट्स की संख्या: 5000,
प्रोग्राम करने योग्य प्रकार: EE PLD, विलंब समय tpd(1) अधिकतम: 15.0ns, वोल्टेज आपूर्ति - आंतरिक: 4.75V ~ 5.25V, तर्क तत्वों/ब्लॉकों की संख्या: 8, मैक्रोसेल्स की संख्या: 128, गेट्स की संख्या: 2500,
प्रोग्राम करने योग्य प्रकार: EE PLD, विलंब समय tpd(1) अधिकतम: 15.0ns, वोल्टेज आपूर्ति - आंतरिक: 4.75V ~ 5.25V, तर्क तत्वों/ब्लॉकों की संख्या: 10, मैक्रोसेल्स की संख्या: 160, गेट्स की संख्या: 3200,
प्रोग्राम करने योग्य प्रकार: In System Programmable, विलंब समय tpd(1) अधिकतम: 5.4ns, वोल्टेज आपूर्ति - आंतरिक: 1.71V ~ 1.89V, तर्क तत्वों/ब्लॉकों की संख्या: 570, मैक्रोसेल्स की संख्या: 440,
प्रोग्राम करने योग्य प्रकार: In System Programmable, विलंब समय tpd(1) अधिकतम: 7.5ns, वोल्टेज आपूर्ति - आंतरिक: 4.75V ~ 5.25V, तर्क तत्वों/ब्लॉकों की संख्या: 16, मैक्रोसेल्स की संख्या: 256, गेट्स की संख्या: 5000,
प्रोग्राम करने योग्य प्रकार: EE PLD, विलंब समय tpd(1) अधिकतम: 15.0ns, वोल्टेज आपूर्ति - आंतरिक: 4.75V ~ 5.25V, तर्क तत्वों/ब्लॉकों की संख्या: 8, मैक्रोसेल्स की संख्या: 128, गेट्स की संख्या: 2500,
प्रोग्राम करने योग्य प्रकार: In System Programmable, विलंब समय tpd(1) अधिकतम: 10.0ns, वोल्टेज आपूर्ति - आंतरिक: 3V ~ 3.6V, तर्क तत्वों/ब्लॉकों की संख्या: 32, मैक्रोसेल्स की संख्या: 512, गेट्स की संख्या: 10000,
प्रोग्राम करने योग्य प्रकार: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), विलंब समय tpd(1) अधिकतम: 7.0ns, वोल्टेज आपूर्ति - आंतरिक: 2.7V ~ 3.6V, तर्क तत्वों/ब्लॉकों की संख्या: 8, मैक्रोसेल्स की संख्या: 128, गेट्स की संख्या: 3000,
प्रोग्राम करने योग्य प्रकार: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), विलंब समय tpd(1) अधिकतम: 7.5ns, वोल्टेज आपूर्ति - आंतरिक: 3V ~ 3.6V, तर्क तत्वों/ब्लॉकों की संख्या: 16, मैक्रोसेल्स की संख्या: 288, गेट्स की संख्या: 6400,
प्रोग्राम करने योग्य प्रकार: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), विलंब समय tpd(1) अधिकतम: 9.1ns, वोल्टेज आपूर्ति - आंतरिक: 3V ~ 3.6V, तर्क तत्वों/ब्लॉकों की संख्या: 16, मैक्रोसेल्स की संख्या: 256, गेट्स की संख्या: 6000,
