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ट्रांजिस्टर - द्विध्रुवी (BJT) - एकल

2SC2229-Y(T6ONK1FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(T6ONK1FM

भाग स्टॉक: 6992

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
2SC2229-Y(SHP1,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SHP1,F,M

भाग स्टॉक: 6990

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
2SC2229-Y(SAN2,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SAN2,F,M

भाग स्टॉक: 7022

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
2SC2229-Y(SHP,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SHP,F,M)

भाग स्टॉक: 7021

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
2SC2229-Y(MIT,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(MIT,F,M)

भाग स्टॉक: 6703

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
2SC2229-Y(MIT1,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(MIT1,F,M

भाग स्टॉक: 6975

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
2SC2229-O(T6SHP1FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6SHP1FM

भाग स्टॉक: 7020

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
2SC2229-O(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(TE6,F,M)

भाग स्टॉक: 7022

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
2SC2229-O(T6SAN2FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6SAN2FM

भाग स्टॉक: 6954

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
2SC2229-O(T6MIT1FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6MIT1FM

भाग स्टॉक: 6948

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
2SC2229-O(SHP1,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(SHP1,F,M

भाग स्टॉक: 6990

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
2SC2229-O(SHP,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(SHP,F,M)

भाग स्टॉक: 6947

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
2SC2229-O(MITIF,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(MITIF,M)

भाग स्टॉक: 7035

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
2SC2229-O(MIT1F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(MIT1F,M)

भाग स्टॉक: 7005

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
2SC2229(TE6SAN1F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229(TE6SAN1F,M

भाग स्टॉक: 6999

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
2SC1627A-O,PASF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC1627A-O,PASF(M

भाग स्टॉक: 7004

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 400mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 80V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 20mA, 200A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V,

विशलिस्ट के लिए
2SC1627A-Y,PASF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC1627A-Y,PASF(M

भाग स्टॉक: 6754

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 400mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 80V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 20mA, 200A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V,

विशलिस्ट के लिए
2SB1495,Q(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1495,Q(M

भाग स्टॉक: 6942

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

विशलिस्ट के लिए
2SB1495,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1495,Q(J

भाग स्टॉक: 6995

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

विशलिस्ट के लिए
2SB1457,T6YMEF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457,T6YMEF(M

भाग स्टॉक: 7000

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 1mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

विशलिस्ट के लिए
2SB1481(TOJS,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1481(TOJS,Q,M)

भाग स्टॉक: 6996

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 4A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 6mA, 3A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 2µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V,

विशलिस्ट के लिए
2SB1457,T6TOTOF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457,T6TOTOF(J

भाग स्टॉक: 6949

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 1mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

विशलिस्ट के लिए
2SB1457(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(TE6,F,M)

भाग स्टॉक: 6958

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 1mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

विशलिस्ट के लिए
2SB1457(T6CNO,A,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(T6CNO,A,F)

भाग स्टॉक: 6947

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 1mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

विशलिस्ट के लिए
2SB1375,CLARIONF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1375,CLARIONF(M

भाग स्टॉक: 6980

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 200mA, 2A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
2SB1457(T6CANO,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(T6CANO,F,M

भाग स्टॉक: 7012

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 1mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

विशलिस्ट के लिए
2SA965-Y,T6KOJPF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,T6KOJPF(J

भाग स्टॉक: 6968

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
2SA965-Y,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,T6F(J

भाग स्टॉक: 7012

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
2SA965-Y,SWFF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,SWFF(M

भाग स्टॉक: 6956

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
2SA965-Y,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,F(J

भाग स्टॉक: 6980

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
2SA965-Y(T6CANO,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y(T6CANO,FM

भाग स्टॉक: 6968

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
2SA965-Y(F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y(F,M)

भाग स्टॉक: 7009

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
2SA965-O,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-O,F(J

भाग स्टॉक: 6956

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
2SA949-Y,ONK-1F(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y,ONK-1F(M

भाग स्टॉक: 6969

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 800mV @ 1mA, 10A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
2SA965-O(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-O(TE6,F,M)

भाग स्टॉक: 7016

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
2SC6017-E
ON Semiconductor

2SC6017-E

भाग स्टॉक: 111005

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 10A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 360mV @ 250mA, 5A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V,

विशलिस्ट के लिए