प्रेरित विन्यास: Half-Bridge, चैनल प्रकार: Synchronous, ड्राइवरों की संख्या: 2, गेट प्रकार: IGBT, N-Channel MOSFET, वोल्टेज आपूर्ति: 5V ~ 20V, लॉजिक वोल्टेज - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
प्रेरित विन्यास: Half-Bridge, चैनल प्रकार: Independent, ड्राइवरों की संख्या: 2, गेट प्रकार: IGBT, N-Channel MOSFET, वोल्टेज आपूर्ति: 5V ~ 20V, लॉजिक वोल्टेज - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
प्रेरित विन्यास: Half-Bridge, चैनल प्रकार: Independent, ड्राइवरों की संख्या: 2, गेट प्रकार: IGBT, N-Channel MOSFET, वोल्टेज आपूर्ति: 10V ~ 20V, लॉजिक वोल्टेज - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
प्रेरित विन्यास: Half-Bridge, चैनल प्रकार: Synchronous, ड्राइवरों की संख्या: 2, गेट प्रकार: IGBT, N-Channel MOSFET, वोल्टेज आपूर्ति: 10V ~ 20V, लॉजिक वोल्टेज - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
प्रेरित विन्यास: High-Side, चैनल प्रकार: Single, ड्राइवरों की संख्या: 1, गेट प्रकार: IGBT, N-Channel MOSFET, वोल्टेज आपूर्ति: 12V ~ 20V, लॉजिक वोल्टेज - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
प्रेरित विन्यास: High-Side, चैनल प्रकार: Single, ड्राइवरों की संख्या: 1, गेट प्रकार: IGBT, N-Channel MOSFET, वोल्टेज आपूर्ति: 9V ~ 20V, लॉजिक वोल्टेज - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
प्रेरित विन्यास: High-Side, चैनल प्रकार: Single, ड्राइवरों की संख्या: 1, गेट प्रकार: IGBT, N-Channel MOSFET, वोल्टेज आपूर्ति: 10V ~ 20V,
प्रेरित विन्यास: Half-Bridge, चैनल प्रकार: Independent, ड्राइवरों की संख्या: 2, गेट प्रकार: IGBT, N-Channel MOSFET, वोल्टेज आपूर्ति: 3V ~ 20V, लॉजिक वोल्टेज - VIL, VIH: 6V, 9.5V,
प्रेरित विन्यास: High-Side, चैनल प्रकार: Single, ड्राइवरों की संख्या: 1, गेट प्रकार: IGBT, N-Channel MOSFET, वोल्टेज आपूर्ति: 10V ~ 20V, लॉजिक वोल्टेज - VIL, VIH: 6V, 9.5V,
प्रेरित विन्यास: Half-Bridge, चैनल प्रकार: Synchronous, ड्राइवरों की संख्या: 2, गेट प्रकार: N-Channel MOSFET, वोल्टेज आपूर्ति: 10V ~ 15V,
प्रेरित विन्यास: Half-Bridge, चैनल प्रकार: Synchronous, ड्राइवरों की संख्या: 2, गेट प्रकार: N-Channel MOSFET, वोल्टेज आपूर्ति: 4.6V ~ 5.5V, लॉजिक वोल्टेज - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
प्रेरित विन्यास: Half-Bridge, चैनल प्रकार: Synchronous, ड्राइवरों की संख्या: 2, गेट प्रकार: N-Channel MOSFET, वोल्टेज आपूर्ति: 4.15V ~ 13.2V, लॉजिक वोल्टेज - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
प्रेरित विन्यास: Half-Bridge, चैनल प्रकार: Synchronous, ड्राइवरों की संख्या: 2, गेट प्रकार: N-Channel MOSFET, वोल्टेज आपूर्ति: 4.6V ~ 13.2V, लॉजिक वोल्टेज - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
प्रेरित विन्यास: Half-Bridge, चैनल प्रकार: Synchronous, ड्राइवरों की संख्या: 2, गेट प्रकार: N-Channel MOSFET, वोल्टेज आपूर्ति: 4.6V ~ 6V, लॉजिक वोल्टेज - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
प्रेरित विन्यास: Half-Bridge, चैनल प्रकार: Synchronous, ड्राइवरों की संख्या: 2, गेट प्रकार: N-Channel MOSFET, वोल्टेज आपूर्ति: 4.15V ~ 7.5V, लॉजिक वोल्टेज - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
प्रेरित विन्यास: Half-Bridge, चैनल प्रकार: Synchronous, ड्राइवरों की संख्या: 2, गेट प्रकार: N-Channel MOSFET, वोल्टेज आपूर्ति: 4.75V ~ 5.25V, लॉजिक वोल्टेज - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
प्रेरित विन्यास: Low-Side, चैनल प्रकार: Single, ड्राइवरों की संख्या: 1, गेट प्रकार: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, वोल्टेज आपूर्ति: 16V ~ 30V,
