डायोड - रेक्टीफायर - सिंगल | असतत अर्धचालक उत्पाद | 100

10TQ035STRR

भाग स्टॉक: 171

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 570mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035STRL

भाग स्टॉक: 82

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 570mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12STRL

भाग स्टॉक: 173

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 10A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12STRR

भाग स्टॉक: 98

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 10A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08STRL

भाग स्टॉक: 157

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 10A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08STRR

भाग स्टॉक: 94

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 10A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10STRR

भाग स्टॉक: 76

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.33V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 310ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10STRL

भाग स्टॉक: 99

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.33V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 310ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10S

भाग स्टॉक: 161

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.33V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 310ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10FP

भाग स्टॉक: 131

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.33V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 310ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF06STRL

भाग स्टॉक: 5088

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 145ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF06FP

भाग स्टॉक: 145

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 145ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF04FP

भाग स्टॉक: 152

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 145ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF02STRL

भाग स्टॉक: 153

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 145ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF02FP

भाग स्टॉक: 112

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 145ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

18TQ040

भाग स्टॉक: 160

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 18A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 600mV @ 18A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035

भाग स्टॉक: 71

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 760mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ040

भाग स्टॉक: 130

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 760mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

183NQ100R

भाग स्टॉक: 112

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 180A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 950mV @ 180A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

183NQ080

भाग स्टॉक: 135

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 180A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 950mV @ 180A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

182NQ030

भाग स्टॉक: 74

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 180A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 510mV @ 180A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ045

भाग स्टॉक: 104

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 180A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 660mV @ 180A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ045R

भाग स्टॉक: 95

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 180A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 660mV @ 180A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ035

भाग स्टॉक: 137

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 180A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 660mV @ 180A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ045

भाग स्टॉक: 156

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 180A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 600mV @ 180A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ045R

भाग स्टॉक: 137

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 180A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 600mV @ 180A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ035

भाग स्टॉक: 5037

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 180A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 600mV @ 180A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

123NQ100R

भाग स्टॉक: 91

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 120A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 910mV @ 120A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

123NQ080

भाग स्टॉक: 5020

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 120A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 910mV @ 120A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

122NQ030R

भाग स्टॉक: 69

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 120A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 490mV @ 120A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ045R

भाग स्टॉक: 130

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 120A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 650mV @ 120A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ040

भाग स्टॉक: 5051

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 120A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 650mV @ 120A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए

Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ045

भाग स्टॉक: 135

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 120A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 650mV @ 120A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए

Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ035

भाग स्टॉक: 74

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 120A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 650mV @ 120A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

120NQ045R

भाग स्टॉक: 120

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 120A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 570mV @ 120A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

1N6631US

भाग स्टॉक: 4317

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.4A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.4V @ 1.4A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 60ns,

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