डायोड - रेक्टीफायर - सिंगल | असतत अर्धचालक उत्पाद | 100

1N8032-GA

भाग स्टॉक: 411

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 650V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 2.5A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

1N3765

भाग स्टॉक: 9603

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 700V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 35A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 35A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N2130A

भाग स्टॉक: 13757

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 60A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 60A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N3213R

भाग स्टॉक: 9594

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 500V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 15A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N5834R

भाग स्टॉक: 5649

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 40A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 590mV @ 40A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N3297A

भाग स्टॉक: 3391

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 100A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 100A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N3768

भाग स्टॉक: 9899

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 35A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 35A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N3211R

भाग स्टॉक: 13605

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 15A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N1188AR

भाग स्टॉक: 14724

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 40A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 40A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N1186R

भाग स्टॉक: 14976

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 35A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 35A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N3293A

भाग स्टॉक: 3421

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 100A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 100A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N1187R

भाग स्टॉक: 11210

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 35A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 35A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N3766

भाग स्टॉक: 9596

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 35A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 35A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N2133AR

भाग स्टॉक: 9580

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 60A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 60A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N3671AR

भाग स्टॉक: 14489

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 12A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 12A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N5832

भाग स्टॉक: 5575

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 40A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 520mV @ 40A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N3208R

भाग स्टॉक: 15260

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 15A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

150K100A

भाग स्टॉक: 3461

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 150A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.33V @ 150A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N1183R

भाग स्टॉक: 15035

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 35A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 35A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N1202AR

भाग स्टॉक: 15978

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 12A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 12A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N2133A

भाग स्टॉक: 9591

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 60A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 60A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N5828

भाग स्टॉक: 5643

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 500mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N4595

भाग स्टॉक: 3450

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 150A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 150A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N4592R

भाग स्टॉक: 3417

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 150A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 150A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए

GeneSiC Semiconductor

1N1190R

भाग स्टॉक: 16753

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 35A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 35A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

1N5552US

भाग स्टॉक: 5469

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 9A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 2µs,

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Microsemi Corporation

1N4148UR-1E3

भाग स्टॉक: 134

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 75V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 200mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 20ns,

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SMC Diode Solutions

1N4001TA

भाग स्टॉक: 177323

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 1A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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SMC Diode Solutions

120NQ035R-1

भाग स्टॉक: 2701

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 120A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 610mV @ 120A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SMC Diode Solutions

12TQ040STR

भाग स्टॉक: 130104

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 560mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SMC Diode Solutions

1N5406TA

भाग स्टॉक: 138561

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 3A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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SMC Diode Solutions

12TQ100STR

भाग स्टॉक: 107331

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 840mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SMC Diode Solutions

1F7TA

भाग स्टॉक: 135435

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 1A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 500ns,

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SMC Diode Solutions

129SPC135A

भाग स्टॉक: 9447

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 135V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 120A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 870mV @ 120A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SMC Diode Solutions

123NQ080-1

भाग स्टॉक: 2753

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 120A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 910mV @ 120A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

1N4531,143

भाग स्टॉक: 172728

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 75V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 200mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 4ns,

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