ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - Arrays | असतत अर्धचालक उत्पाद | 100

SI6969DQ-T1-E3

भाग स्टॉक: 2898

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 12V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 450mV @ 250µA (Min),

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Vishay Siliconix

SI4561DY-T1-GE3

भाग स्टॉक: 2816

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 40V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 6.8A, 7.2A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 35.5 mOhm @ 5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI1917EDH-T1-E3

भाग स्टॉक: 2713

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 12V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 1A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 370 mOhm @ 1A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 450mV @ 100µA (Min),

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SI4830ADY-T1-E3

भाग स्टॉक: 2782

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 5.7A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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SIZ910DT-T1-GE3

भाग स्टॉक: 77131

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 40A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 5.8 mOhm @ 20A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 250µA,

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SI4804BDY-T1-GE3

भाग स्टॉक: 2795

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 5.7A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI5511DC-T1-E3

भाग स्टॉक: 2730

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4A, 3.6A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 55 mOhm @ 4.8A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI9926BDY-T1-GE3

भाग स्टॉक: 2824

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 6.2A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 20 mOhm @ 8.2A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI5999EDU-T1-GE3

भाग स्टॉक: 128567

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 6A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 59 mOhm @ 3.5A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SIA911EDJ-T1-GE3

भाग स्टॉक: 2796

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4.5A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 101 mOhm @ 2.7A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI7940DP-T1-E3

भाग स्टॉक: 2854

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 12V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 7.6A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI1972DH-T1-GE3

भाग स्टॉक: 2790

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 1.3A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 225 mOhm @ 1.3A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.8V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI4966DY-T1-E3

भाग स्टॉक: 85796

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI4910DY-T1-GE3

भाग स्टॉक: 2838

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 40V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 7.6A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 27 mOhm @ 6A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2V @ 250µA,

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ON Semiconductor

FDM3300NZ

भाग स्टॉक: 2686

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 10A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 23 mOhm @ 10A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

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ON Semiconductor

FDC6000NZ_F077

भाग स्टॉक: 2747

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 7.3A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 20 mOhm @ 6.5A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

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ON Semiconductor

ECH8602M-TL-H

भाग स्टॉक: 2823

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 6A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 30 mOhm @ 3A, 4.5V,

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ON Semiconductor

EMH2409-TL-H

भाग स्टॉक: 2859

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 59 mOhm @ 2A, 10V,

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ON Semiconductor

NTND31015NZTAG

भाग स्टॉक: 120579

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 200mA, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

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ON Semiconductor

NDS9958

भाग स्टॉक: 2715

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 3.5A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 100 mOhm @ 3.5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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ON Semiconductor

EMH2308-TL-H

भाग स्टॉक: 186625

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, 1.8V Drive, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 3A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 85 mOhm @ 3A, 4.5V,

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IXYS

GWM70-01P2

भाग स्टॉक: 2692

एफईटी प्रकार: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 70A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 14 mOhm @ 35A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 1mA,

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IXYS

GWM100-01X1-SMD

भाग स्टॉक: 2825

एफईटी प्रकार: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 90A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 8.5 mOhm @ 80A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 4.5V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IPG20N06S3L-35

भाग स्टॉक: 2854

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 55V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 20A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 35 mOhm @ 11A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 15µA,

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Infineon Technologies

IRF7389

भाग स्टॉक: 2690

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF9910TR

भाग स्टॉक: 3299

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 10A, 12A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 13.4 mOhm @ 10A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.55V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7343PBF

भाग स्टॉक: 75494

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 55V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 50 mOhm @ 4.7A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

विशलिस्ट के लिए

Infineon Technologies

IRF9952QTRPBF

भाग स्टॉक: 2747

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7309QTRPBF

भाग स्टॉक: 2755

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4A, 3A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

विशलिस्ट के लिए

Infineon Technologies

IRFI4024H-117P

भाग स्टॉक: 2824

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 55V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 11A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 60 mOhm @ 7.7A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 25µA,

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Trinamic Motion Control GmbH

TMC1420-LA

भाग स्टॉक: 2918

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 40V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 8.8A, 7.3A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 26.5 mOhm @ 7A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMC3018LSD-13

भाग स्टॉक: 2789

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 9.1A, 6A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 20 mOhm @ 6.9A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.1V @ 250µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8207(TE12L)

भाग स्टॉक: 2650

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 6A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 20 mOhm @ 4.8A, 4V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.2V @ 200µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TPCF8402(TE85L,F,M

भाग स्टॉक: 2735

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4A, 3.2A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 50 mOhm @ 2A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2V @ 1mA,

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Texas Instruments

CSD75204W15

भाग स्टॉक: 2796

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 3A, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 900mV @ 250µA,

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Rohm Semiconductor

SP8M3TB

भाग स्टॉक: 2700

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 5A, 4.5A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 51 mOhm @ 5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

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