ट्रांजिस्टर - द्विध्रुवी (BJT) - Arrays | असतत अर्धचालक उत्पाद | 39

QSX7TR

भाग स्टॉक: 133111

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1.5A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 12V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 200mV @ 25mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V,

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Rohm Semiconductor

FMW1T148

भाग स्टॉक: 193173

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

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Rohm Semiconductor

FMY4AT148

भाग स्टॉक: 115359

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, PNP Complementary Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

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Rohm Semiconductor

EMX5T2R

भाग स्टॉक: 132191

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 11V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 5mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 500nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V,

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Rohm Semiconductor

US6T9TR

भाग स्टॉक: 144882

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 350mV @ 25mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,

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Rohm Semiconductor

QSX8TR

भाग स्टॉक: 124260

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 350mV @ 25mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,

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Rohm Semiconductor

IMX5T108

भाग स्टॉक: 149748

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 11V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 5mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 500nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V,

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Rohm Semiconductor

QS6Z5TR

भाग स्टॉक: 158820

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 350mV @ 25mA, 500mA / 400mV @ 25mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V,

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Rohm Semiconductor

QS5W2TR

भाग स्टॉक: 188842

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual) Common Emitter, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 350mV @ 50mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V,

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Rohm Semiconductor

IMX17T108

भाग स्टॉक: 170021

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

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Rohm Semiconductor

IMX3T108

भाग स्टॉक: 188015

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

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Rohm Semiconductor

IMZ2AT108

भाग स्टॉक: 189718

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

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Rohm Semiconductor

IMX1T108

भाग स्टॉक: 134514

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

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Rohm Semiconductor

QSZ2TR

भाग स्टॉक: 151664

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, PNP (Emitter Coupled), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1.5A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 350mV @ 50mA, 1A / 370mV @ 50mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,

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Rohm Semiconductor

IMZ4T108

भाग स्टॉक: 137089

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 32V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

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Rohm Semiconductor

UMZ1NTR

भाग स्टॉक: 165705

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

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Rohm Semiconductor

UMZ2NTR

भाग स्टॉक: 108768

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

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Rohm Semiconductor

QS5W1TR

भाग स्टॉक: 144757

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual) Common Emitter, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 50mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

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Rohm Semiconductor

EMZ2T2R

भाग स्टॉक: 102872

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

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Texas Instruments

ULN2003ADRG4

भाग स्टॉक: 142447

ट्रांजिस्टर प्रकार: 7 NPN Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.6V @ 500µA, 350mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50µA,

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Texas Instruments

ULN2003AIPWR

भाग स्टॉक: 189360

ट्रांजिस्टर प्रकार: 7 NPN Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.6V @ 500µA, 350mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50µA,

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Diodes Incorporated

MMDT3904-7-F

भाग स्टॉक: 137638

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

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Diodes Incorporated

DMMT5551-7-F

भाग स्टॉक: 182764

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual) Matched Pair, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 160V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 200mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए

Diodes Incorporated

MMDT2227M-7

भाग स्टॉक: 158166

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

विशलिस्ट के लिए

Diodes Incorporated

MMDT2222V-7

भाग स्टॉक: 145001

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

विशलिस्ट के लिए

Diodes Incorporated

MMDT2907AQ-7-F

भाग स्टॉक: 116803

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.6V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

विशलिस्ट के लिए

Diodes Incorporated

MMDT5551-7-F

भाग स्टॉक: 174855

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 160V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 200mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए

Nexperia USA Inc.

PMBT3906VS,115

भाग स्टॉक: 191209

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

विशलिस्ट के लिए

Nexperia USA Inc.

PUMZ1,115

भाग स्टॉक: 145366

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 200mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

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Infineon Technologies

SMBT3904SH6327XTSA1

भाग स्टॉक: 180805

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

विशलिस्ट के लिए

Infineon Technologies

SMBT3906SH6327XTSA1

भाग स्टॉक: 136392

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

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Infineon Technologies

SMBT3906UE6327HTSA1

भाग स्टॉक: 154530

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

विशलिस्ट के लिए

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A56JU(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 175513

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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Panasonic Electronic Components

DMC206010R

भाग स्टॉक: 130805

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V,

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ON Semiconductor

ULN2003ADR2G

भाग स्टॉक: 145782

ट्रांजिस्टर प्रकार: 7 NPN Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.6V @ 500µA, 350mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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ON Semiconductor

MBT3906DW1T2G

भाग स्टॉक: 189131

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 5mA, 50mA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

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