Menu
हिंदीहिंदी
Rfqs / आदेश
0Rfqs / आदेश

ट्रांजिस्टर - बाइपोलर (BJT) - सिंगल, प्री-बायस्ड

PDTC144EM,315
Nexperia USA Inc.

PDTC144EM,315

भाग स्टॉक: 129153

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 47 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
PDTA123EM,315
Nexperia USA Inc.

PDTA123EM,315

भाग स्टॉक: 124383

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 2.2 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
PDTA143XM,315
Nexperia USA Inc.

PDTA143XM,315

भाग स्टॉक: 154115

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
PDTA114TM,315
Nexperia USA Inc.

PDTA114TM,315

भाग स्टॉक: 198000

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
PDTA124EQAZ
Nexperia USA Inc.

PDTA124EQAZ

भाग स्टॉक: 170547

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 22 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
PDTC144EMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTC144EMB,315

भाग स्टॉक: 190661

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 47 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
PDTC144TMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTC144TMB,315

भाग स्टॉक: 154216

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
DTC143ECAT116
Rohm Semiconductor

DTC143ECAT116

भाग स्टॉक: 167420

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 4.7 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
DTC124XEFRATL
Rohm Semiconductor

DTC124XEFRATL

भाग स्टॉक: 69

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased + Diode, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
DTA143TMT2L
Rohm Semiconductor

DTA143TMT2L

भाग स्टॉक: 104749

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
DTA013ZUBTL
Rohm Semiconductor

DTA013ZUBTL

भाग स्टॉक: 181648

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 1 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

विशलिस्ट के लिए
DTD113ECHZGT116
Rohm Semiconductor

DTD113ECHZGT116

भाग स्टॉक: 113

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased + Diode, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, रोकनेवाला - आधार (R1): 1 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 1 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
DTD113ECT116
Rohm Semiconductor

DTD113ECT116

भाग स्टॉक: 100985

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 1 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 1 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
DTA123JCAT116
Rohm Semiconductor

DTA123JCAT116

भाग स्टॉक: 103671

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 20V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
DTA115EMT2L
Rohm Semiconductor

DTA115EMT2L

भाग स्टॉक: 111770

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 100 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 100 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
DTC023JMT2L
Rohm Semiconductor

DTC023JMT2L

भाग स्टॉक: 109540

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

विशलिस्ट के लिए
DTC015EUBTL
Rohm Semiconductor

DTC015EUBTL

भाग स्टॉक: 162811

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 100 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 100 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

विशलिस्ट के लिए
DTC923TUBTL
Rohm Semiconductor

DTC923TUBTL

भाग स्टॉक: 157543

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 400mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 20V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 820 @ 10mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
DTC124XMT2L
Rohm Semiconductor

DTC124XMT2L

भाग स्टॉक: 100919

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
DTA144GUAT106
Rohm Semiconductor

DTA144GUAT106

भाग स्टॉक: 182490

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
DTB123YKT146
Rohm Semiconductor

DTB123YKT146

भाग स्टॉक: 199309

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
DTA143ZCAT116
Rohm Semiconductor

DTA143ZCAT116

भाग स्टॉक: 107740

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
DTA143ECAT116
Rohm Semiconductor

DTA143ECAT116

भाग स्टॉक: 120659

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 4.7 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
DTA144EU3T106
Rohm Semiconductor

DTA144EU3T106

भाग स्टॉक: 54

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased + Diode, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, रोकनेवाला - आधार (R1): 47 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
DTA024EMT2L
Rohm Semiconductor

DTA024EMT2L

भाग स्टॉक: 136823

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 22 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

विशलिस्ट के लिए
DTB123YCHZGT116
Rohm Semiconductor

DTB123YCHZGT116

भाग स्टॉक: 135

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased + Diode, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
DTA114YKAT146
Rohm Semiconductor

DTA114YKAT146

भाग स्टॉक: 125826

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
DTA143EMT2L
Rohm Semiconductor

DTA143EMT2L

भाग स्टॉक: 141367

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 4.7 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
DTA114YCAT116
Rohm Semiconductor

DTA114YCAT116

भाग स्टॉक: 185770

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
DTC144GUAT106
Rohm Semiconductor

DTC144GUAT106

भाग स्टॉक: 191385

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
DTC124XCAHZGT116
Rohm Semiconductor

DTC124XCAHZGT116

भाग स्टॉक: 66

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased + Diode, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
DTA114TM3T5G
ON Semiconductor

DTA114TM3T5G

भाग स्टॉक: 122482

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

विशलिस्ट के लिए
FJX4013RTF
ON Semiconductor

FJX4013RTF

भाग स्टॉक: 2477

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
MUN2237T1G
ON Semiconductor

MUN2237T1G

भाग स्टॉक: 125538

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 47 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 22 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

विशलिस्ट के लिए
FJV4113RMTF
ON Semiconductor

FJV4113RMTF

भाग स्टॉक: 108899

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

विशलिस्ट के लिए
NSV9435T1G
ON Semiconductor

NSV9435T1G

भाग स्टॉक: 171820

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 125 @ 800mA, 1V,

विशलिस्ट के लिए