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डायोड - रेक्टीफायर्स - Arrays

VS-4CSH02-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-4CSH02-M3/87A

भाग स्टॉक: 128271

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 950mV @ 2A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
VS-42CTQ030S-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-42CTQ030S-1HM3

भाग स्टॉक: 60706

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 20A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 480mV @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
SS8P3CLHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P3CLHM3_A/I

भाग स्टॉक: 149065

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 4A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 580mV @ 4A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
VS-6CWQ04FNTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ04FNTRHM3

भाग स्टॉक: 83931

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 3.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 530mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
VS-12CTQ045STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CTQ045STRR-M3

भाग स्टॉक: 88987

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 6A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 600mV @ 6A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
UH4PDCHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

UH4PDCHM3_A/H

भाग स्टॉक: 188540

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.05V @ 2A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
VS-MBR6045WT-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR6045WT-N3

भाग स्टॉक: 11025

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 30A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 620mV @ 30A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
VS-40L45CW-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40L45CW-N3

भाग स्टॉक: 17070

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 20A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 530mV @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
VS-40CTQ045STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40CTQ045STRR-M3

भाग स्टॉक: 57459

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 20A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 530mV @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
SS8P2CL-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P2CL-M3/87A

भाग स्टॉक: 186416

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 20V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 4A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 540mV @ 4A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
VS-30CPQ045-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CPQ045-N3

भाग स्टॉक: 12874

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 540mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
SRS16100 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS16100 MNG

भाग स्टॉक: 131

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 16A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 8A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
SRS2020HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS2020HMNG

भाग स्टॉक: 151

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 20V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 20A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 550mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
MBRF15100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF15100CTHC0G

भाग स्टॉक: 107

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 920mV @ 7.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
MBRF20L120CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF20L120CT C0G

भाग स्टॉक: 138

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 120V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 20A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
MBRS2560CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2560CTHMNG

भाग स्टॉक: 115

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 25A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 25A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
SRF1640 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1640 C0G

भाग स्टॉक: 119

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 16A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 550mV @ 8A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
MBRS2535CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2535CT MNG

भाग स्टॉक: 160

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 25A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 820mV @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
MBRS2060CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2060CT MNG

भाग स्टॉक: 128

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 20A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 950mV @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
GP1601HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1601HC0G

भाग स्टॉक: 93

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 16A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 8A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
SRS1060HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1060HMNG

भाग स्टॉक: 164

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 700mV @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
SRS2030 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS2030 MNG

भाग स्टॉक: 94

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 20A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 550mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
SRS1660 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1660 MNG

भाग स्टॉक: 98

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 16A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 700mV @ 8A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
SR20100 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR20100 C0G

भाग स्टॉक: 94

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 20A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
MBR20L100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20L100CTHC0G

भाग स्टॉक: 142

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 20A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 850mV @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
UG2004PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG2004PT C0G

भाग स्टॉक: 88

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 20A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 930mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
SR3060PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR3060PT C0G

भाग स्टॉक: 141

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 30A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 700mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
MBRS1060CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1060CT MNG

भाग स्टॉक: 127

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
FERD40L60CG-TR
STMicroelectronics

FERD40L60CG-TR

भाग स्टॉक: 101

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: FERD (Field Effect Rectifier Diode), वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 20A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 545mV @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
CDBD2045-G
Comchip Technology

CDBD2045-G

भाग स्टॉक: 111182

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 20A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 550mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
CDBT-54C-G
Comchip Technology

CDBT-54C-G

भाग स्टॉक: 118616

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
CDBGBSC101200-G
Comchip Technology

CDBGBSC101200-G

भाग स्टॉक: 79

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 18A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.7V @ 5A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
DB3J315E0L
Panasonic Electronic Components

DB3J315E0L

भाग स्टॉक: 176834

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 30mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 30mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
DA204KT146
Rohm Semiconductor

DA204KT146

भाग स्टॉक: 177494

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 20V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
RBQ10NS45AFHTL
Rohm Semiconductor

RBQ10NS45AFHTL

भाग स्टॉक: 92

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 650mV @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
RB550EATR
Rohm Semiconductor

RB550EATR

भाग स्टॉक: 110897

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 700mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 490mV @ 700mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए