Menu
हिंदीहिंदी
Rfqs / आदेश
0Rfqs / आदेश

डायोड - रेक्टीफायर्स - Arrays

1PS59SB15,115
NXP USA Inc.

1PS59SB15,115

भाग स्टॉक: 4404

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 800mV @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
1PS59SB14,115
NXP USA Inc.

1PS59SB14,115

भाग स्टॉक: 4331

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 800mV @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
1PS226,115
NXP USA Inc.

1PS226,115

भाग स्टॉक: 4446

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 215mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
1PS184,135
NXP USA Inc.

1PS184,135

भाग स्टॉक: 4337

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 215mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
1PS184,115
NXP USA Inc.

1PS184,115

भाग स्टॉक: 4473

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 215mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
1PS70SB14/ZLX
Nexperia USA Inc.

1PS70SB14/ZLX

भाग स्टॉक: 4330

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 800mV @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
1PS70SB14/ZLF
Nexperia USA Inc.

1PS70SB14/ZLF

भाग स्टॉक: 4334

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 800mV @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
1SS184S,LF(D
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS184S,LF(D

भाग स्टॉक: 4245

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
1SS412(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS412(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 4112

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
1SS360(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS360(T5L,F,T)

भाग स्टॉक: 4169

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
1SS302TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS302TE85LF

भाग स्टॉक: 162072

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
1SS301SU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS301SU,LF

भाग स्टॉक: 4015

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
1N6659
Microsemi Corporation

1N6659

भाग स्टॉक: 4137

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
16CTU04-1
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTU04-1

भाग स्टॉक: 3721

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 8A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 8A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
16CTU04
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTU04

भाग स्टॉक: 3649

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 8A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 8A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
16CTQ060
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ060

भाग स्टॉक: 3669

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 8A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 720mV @ 8A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
16CTU04S
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTU04S

भाग स्टॉक: 3644

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 8A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 8A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
110CNQ045ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

110CNQ045ASL

भाग स्टॉक: 3638

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 55A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 540mV @ 55A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
110CNQ045ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

110CNQ045ASM

भाग स्टॉक: 3688

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 55A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 540mV @ 55A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
113CNQ100ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

113CNQ100ASM

भाग स्टॉक: 3674

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 55A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 810mV @ 55A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
113CNQ100ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

113CNQ100ASL

भाग स्टॉक: 4418

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 55A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 810mV @ 55A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
111CNQ045ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

111CNQ045ASM

भाग स्टॉक: 3691

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 55A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 610mV @ 55A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
111CNQ045ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

111CNQ045ASL

भाग स्टॉक: 3663

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 55A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 610mV @ 55A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
115CNQ015A
Vishay Semiconductor Diodes Division

115CNQ015A

भाग स्टॉक: 3629

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 15V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 55A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 370mV @ 55A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
112CNQ030ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

112CNQ030ASL

भाग स्टॉक: 3678

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 55A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 490mV @ 55A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
112CNQ030ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

112CNQ030ASM

भाग स्टॉक: 3654

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 55A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 490mV @ 55A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
115CNQ015ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

115CNQ015ASM

भाग स्टॉक: 3703

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 15V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 55A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 370mV @ 55A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
113CNQ100A
Vishay Semiconductor Diodes Division

113CNQ100A

भाग स्टॉक: 3655

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 55A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 810mV @ 55A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
110CNQ045A
Vishay Semiconductor Diodes Division

110CNQ045A

भाग स्टॉक: 3673

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 55A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 540mV @ 55A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
112CNQ030A
Vishay Semiconductor Diodes Division

112CNQ030A

भाग स्टॉक: 3657

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 55A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 490mV @ 55A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
111CNQ045A
Vishay Semiconductor Diodes Division

111CNQ045A

भाग स्टॉक: 3692

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 55A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 610mV @ 55A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
16CTQ100STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ100STRR

भाग स्टॉक: 3680

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 8A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 720mV @ 8A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
16CTQ100STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ100STRL

भाग स्टॉक: 3603

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 8A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 720mV @ 8A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
16CTQ080STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ080STRR

भाग स्टॉक: 3660

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 8A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 720mV @ 8A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
16CTQ100-1
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ100-1

भाग स्टॉक: 3603

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 8A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 720mV @ 8A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
16CTQ080STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ080STRL

भाग स्टॉक: 3691

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 8A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 720mV @ 8A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए