डायोड - रेक्टीफायर्स - Arrays | असतत अर्धचालक उत्पाद | 100

APTDF400AA20G

भाग स्टॉक: 1188

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 500A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 400A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APTDF400AK100G

भाग स्टॉक: 1141

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 500A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 2.7V @ 400A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X31DQ120J

भाग स्टॉक: 3273

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 30A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 3.1V @ 30A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X51DC120J

भाग स्टॉक: 650

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 50A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 50A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT30D120BCTG

भाग स्टॉक: 8242

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 30A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 2.5V @ 30A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X100D60J

भाग स्टॉक: 2784

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 100A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X31DQ60J

भाग स्टॉक: 3554

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 30A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 2.2V @ 30A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT30D100BCTG

भाग स्टॉक: 9938

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 30A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 2.3V @ 30A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT100S20LCTG

भाग स्टॉक: 5486

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 120A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 950mV @ 100A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X61S20J

भाग स्टॉक: 3006

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 75A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 60A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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APT60D60LCTG

भाग स्टॉक: 6600

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 60A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 60A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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APT2X30D120J

भाग स्टॉक: 2852

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 30A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 2.5V @ 30A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X101DQ60J

भाग स्टॉक: 2889

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 2.2V @ 100A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X101DQ120J

भाग स्टॉक: 2486

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 3V @ 100A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X61D60J

भाग स्टॉक: 3296

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 60A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 60A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT30DQ60BCTG

भाग स्टॉक: 16694

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 30A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 2.4V @ 30A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT30D100BHBG

भाग स्टॉक: 9481

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 18A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 2.3V @ 30A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT40DQ60BCTG

भाग स्टॉक: 14431

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 40A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 2.4V @ 40A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X101D20J

भाग स्टॉक: 2724

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 100A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT15DQ100BCTG

भाग स्टॉक: 17077

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 3V @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X61DC120J

भाग स्टॉक: 553

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 60A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 60A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT30D20BCAG

भाग स्टॉक: 9782

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 30A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 30A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X101D60J

भाग स्टॉक: 2721

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 100A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT30D60BCTG

भाग स्टॉक: 10815

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 30A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 30A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X101D40J

भाग स्टॉक: 2756

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 100A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT30DQ60BHBG

भाग स्टॉक: 10044

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 30A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 2.4V @ 30A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X31S20J

भाग स्टॉक: 3575

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 45A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 850mV @ 30A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT30D60BCAG

भाग स्टॉक: 9826

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 27A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 30A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X61D100J

भाग स्टॉक: 2817

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 55A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 2.5V @ 60A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X61DC60J

भाग स्टॉक: 1099

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 60A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 60A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X60DC60J

भाग स्टॉक: 1122

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 60A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 60A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT30D60BHBG

भाग स्टॉक: 9889

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 27A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 30A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X51DC60J

भाग स्टॉक: 1272

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 50A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 50A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X41DC60J

भाग स्टॉक: 1054

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 40A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 40A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X31DC60J

भाग स्टॉक: 1723

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 30A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 30A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X30DC60J

भाग स्टॉक: 1813

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 30A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 30A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io),

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