ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS (Dual), आवृत्ति: 450MHz, लाभ: 20dB, वोल्टेज - टेस्ट: 50V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 220MHz, लाभ: 25.5dB, वोल्टेज - टेस्ट: 50V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: pHEMT FET, आवृत्ति: 3.55GHz, लाभ: 11dB, वोल्टेज - टेस्ट: 12V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 880MHz, लाभ: 17.8dB, वोल्टेज - टेस्ट: 26V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 3.4GHz ~ 3.6GHz, लाभ: 14dB, वोल्टेज - टेस्ट: 30V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 880MHz, लाभ: 19.5dB, वोल्टेज - टेस्ट: 26V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 880MHz, लाभ: 19.2dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 2.12GHz, लाभ: 15.5dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS (Dual), आवृत्ति: 1.03GHz, लाभ: 20dB, वोल्टेज - टेस्ट: 50V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 2.17GHz, लाभ: 17.3dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 880MHz, लाभ: 20.2dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 1.81GHz, लाभ: 18.2dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 2.39GHz, लाभ: 15.2dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 2.66GHz, लाभ: 15.5dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 960MHz, लाभ: 18.5dB, वोल्टेज - टेस्ट: 26V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 220MHz, लाभ: 23.9dB, वोल्टेज - टेस्ट: 50V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 880MHz, लाभ: 16.5dB, वोल्टेज - टेस्ट: 26V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 2.11GHz ~ 2.17GHz, लाभ: 17.5dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 1.88GHz, लाभ: 15.9dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 2.16GHz ~ 2.17GHz, लाभ: 15dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 1.6GHz ~ 1.66GHz, लाभ: 19.7dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 2.11GHz ~ 2.17GHz, लाभ: 15.8dB, वोल्टेज - टेस्ट: 30V, वर्तमान मूल्यांकन: 10µA,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 1.805GHz ~ 1.88GHz, लाभ: 14.8dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V, वर्तमान मूल्यांकन: 10µA,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 2.17GHz, लाभ: 17.5dB, वोल्टेज - टेस्ट: 30V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 2.42GHz, लाभ: 14dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V, वर्तमान मूल्यांकन: 10µA,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 1.96GHz, लाभ: 17.5dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V, वर्तमान मूल्यांकन: 10µA,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 765MHz, लाभ: 18.7dB, वोल्टेज - टेस्ट: 30V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 2.68GHz, लाभ: 14dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V, वर्तमान मूल्यांकन: 10µA,
ट्रांजिस्टर प्रकार: HFET, आवृत्ति: 20GHz, लाभ: 13.5dB, वोल्टेज - टेस्ट: 2V, वर्तमान मूल्यांकन: 70mA, शोर का आंकड़ा: 0.65dB,
ट्रांजिस्टर प्रकार: HFET, आवृत्ति: 12GHz, लाभ: 12.5dB, वोल्टेज - टेस्ट: 2V, वर्तमान मूल्यांकन: 88mA, शोर का आंकड़ा: 0.3dB,
ट्रांजिस्टर प्रकार: N-Channel, आवृत्ति: 175MHz, लाभ: 16dB, वोल्टेज - टेस्ट: 50V, वर्तमान मूल्यांकन: 10A,
ट्रांजिस्टर प्रकार: N-Channel JFET,
ट्रांजिस्टर प्रकार: N-Channel JFET, वर्तमान मूल्यांकन: 20mA,
