ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - RF

3SK294(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 141644

ट्रांजिस्टर प्रकार: N-Channel, आवृत्ति: 500MHz, लाभ: 26dB, वोल्टेज - टेस्ट: 6V, वर्तमान मूल्यांकन: 30mA, शोर का आंकड़ा: 1.4dB,

375-102N15A-00

भाग स्टॉक: 2463

ट्रांजिस्टर प्रकार: N-Channel, वर्तमान मूल्यांकन: 15A,

475-102N21A-00

भाग स्टॉक: 1837

ट्रांजिस्टर प्रकार: N-Channel, वर्तमान मूल्यांकन: 24A,

475-102N20A-00

भाग स्टॉक: 1798

ट्रांजिस्टर प्रकार: N-Channel, वर्तमान मूल्यांकन: 20A,

475-501N44A-00

भाग स्टॉक: 1820

ट्रांजिस्टर प्रकार: N-Channel, वर्तमान मूल्यांकन: 48A,

3SK263-5-TG-E

भाग स्टॉक: 6227

ट्रांजिस्टर प्रकार: N-Channel Dual Gate, आवृत्ति: 200MHz, लाभ: 21dB, वोल्टेज - टेस्ट: 6V, वर्तमान मूल्यांकन: 30mA, शोर का आंकड़ा: 2.2dB,

3SK264-5-TG-E

भाग स्टॉक: 6289

ट्रांजिस्टर प्रकार: N-Channel Dual Gate, आवृत्ति: 200MHz, लाभ: 23dB, वोल्टेज - टेस्ट: 6V, वर्तमान मूल्यांकन: 30mA, शोर का आंकड़ा: 2.2dB,

ARF449BG

भाग स्टॉक: 2076

ट्रांजिस्टर प्रकार: N-Channel, आवृत्ति: 81.36MHz, लाभ: 13dB, वोल्टेज - टेस्ट: 150V, वर्तमान मूल्यांकन: 9A,

ARF1500

भाग स्टॉक: 399

ट्रांजिस्टर प्रकार: N-Channel, आवृत्ति: 27.12MHz, लाभ: 19dB, वोल्टेज - टेस्ट: 125V, वर्तमान मूल्यांकन: 60A,

ARF466BG

भाग स्टॉक: 1436

ट्रांजिस्टर प्रकार: N-Channel, आवृत्ति: 40.68MHz, लाभ: 16dB, वोल्टेज - टेस्ट: 150V, वर्तमान मूल्यांकन: 13A,

ATF-501P8-BLK

भाग स्टॉक: 11407

ट्रांजिस्टर प्रकार: E-pHEMT, आवृत्ति: 2GHz, लाभ: 15dB, वोल्टेज - टेस्ट: 4.5V, वर्तमान मूल्यांकन: 1A, शोर का आंकड़ा: 1dB,

AFT05MS004NT1

भाग स्टॉक: 63944

ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 520MHz, लाभ: 20.9dB, वोल्टेज - टेस्ट: 7.5V,

A2I20H060NR1

भाग स्टॉक: 2592

ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS (Dual), आवृत्ति: 1.84GHz, लाभ: 28.9dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V,

AFT09S200W02NR3

भाग स्टॉक: 1078

ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 960MHz, लाभ: 19.2dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V,

AFT05MS003NT1

भाग स्टॉक: 78922

ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 520MHz, लाभ: 20.8dB, वोल्टेज - टेस्ट: 7.5V,

A2T08VD020NT1

भाग स्टॉक: 131

ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 728MHz ~ 960MHz, लाभ: 19.1dB, वोल्टेज - टेस्ट: 48V, वर्तमान मूल्यांकन: 10µA,

AFM906NT1

भाग स्टॉक: 116

ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 136MHz ~ 941MHz, वोल्टेज - टेस्ट: 10.8V, वर्तमान मूल्यांकन: 2µA,

A2T27S007NT1

भाग स्टॉक: 92

ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 728MHz ~ 3.6GHz,

AFM907NT1

भाग स्टॉक: 115

ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 136MHz ~ 941MHz, वोल्टेज - टेस्ट: 10.8V, वर्तमान मूल्यांकन: 10µA,

A2T08VD021NT1

भाग स्टॉक: 151

AFT27S006NT1

भाग स्टॉक: 16255

ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 2.17GHz, लाभ: 22dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V,

A2G26H281-04SR3

भाग स्टॉक: 118

ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 2.496GHz ~ 2.69GHz, लाभ: 14.2dB, वोल्टेज - टेस्ट: 48V,

A3T18H360W23SR6

भाग स्टॉक: 201

ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 1.8GHz ~ 1.88GHz, लाभ: 16.6dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V, वर्तमान मूल्यांकन: 10µA,

A3T18H400W23SR6

भाग स्टॉक: 180

ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS (Dual), आवृत्ति: 1.805GHz ~ 1.88GHz, लाभ: 16.8dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V, वर्तमान मूल्यांकन: 10µA,

AFT27S012NT1

भाग स्टॉक: 150

ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 728MHz ~ 2.7GHz, लाभ: 20.9dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V, वर्तमान मूल्यांकन: 10µA,

A3T19H455W23SR6

भाग स्टॉक: 109

ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS (Dual), आवृत्ति: 1.93GHz ~ 1.99GHz, लाभ: 16.4dB, वोल्टेज - टेस्ट: 30V, वर्तमान मूल्यांकन: 10µA,

AFG24S100HR5

भाग स्टॉक: 194

आवृत्ति: 1MHz ~ 2.5GHz, लाभ: 16.3dB,

AFV10700H-1090

भाग स्टॉक: 186

ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS (Dual), आवृत्ति: 1.03GHz ~ 1.09GHz, लाभ: 19.2dB, वोल्टेज - टेस्ट: 50V, वर्तमान मूल्यांकन: 10µA,

A2G22S160-01SR3

भाग स्टॉक: 877

आवृत्ति: 2.11GHz, लाभ: 19.6dB, वोल्टेज - टेस्ट: 48V,

A3G18H500-04SR3

भाग स्टॉक: 181

ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS (Dual), आवृत्ति: 1.805GHz ~ 1.88GHz, लाभ: 15.4dB, वोल्टेज - टेस्ट: 48V,

AFT27S010NT1

भाग स्टॉक: 9240

ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 2.17GHz, लाभ: 21.7dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V,

A2G22S251-01SR3

भाग स्टॉक: 120

ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 1.805GHz ~ 2.2GHz, लाभ: 17.7dB, वोल्टेज - टेस्ट: 48V,

A3T21H360W23SR6

भाग स्टॉक: 134

ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS (Dual), आवृत्ति: 2.11GHz ~ 2.2GHz, लाभ: 16.4dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V, वर्तमान मूल्यांकन: 10µA,

A3T21H450W23SR6

भाग स्टॉक: 120

ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 2.11GHz ~ 2.2GHz, लाभ: 15.4dB, वोल्टेज - टेस्ट: 30V, वर्तमान मूल्यांकन: 10µA,

A2T23H200W23SR6

भाग स्टॉक: 150

ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 2.3GHz ~ 2.4GHz, लाभ: 15.5dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V, वर्तमान मूल्यांकन: 10µA,

A2G35S200-01SR3

भाग स्टॉक: 108

ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 3.4GHz ~ 3.6GHz, लाभ: 16.1dB, वोल्टेज - टेस्ट: 48V,