ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - सिंगल

3LP01SS-TL-EX

भाग स्टॉक: 2251

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.5V, 4V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LN01C-TB-E

भाग स्टॉक: 130398

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 150mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.5V, 4V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LP01SS-TL-E

भाग स्टॉक: 174489

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.5V, 4V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LP01S-TL-E

भाग स्टॉक: 1963

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.5V, 4V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LN01SS-TL-E

भाग स्टॉक: 161259

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 150mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.5V, 4V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LN01M-TL-H

भाग स्टॉक: 137899

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 150mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.5V, 4V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LN01M-TL-E

भाग स्टॉक: 133843

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 150mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.5V, 4V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LP01M-TL-H

भाग स्टॉक: 111476

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.5V, 4V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LP01C-TB-E

भाग स्टॉक: 1924

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.5V, 4V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LN01S-TL-E

भाग स्टॉक: 1979

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 150mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.5V, 4V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LP01S-K-TL-E

भाग स्टॉक: 1806

3LP01M-TL-E

भाग स्टॉक: 137438

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.5V, 4V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LP01C-TB-H

भाग स्टॉक: 1190

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.5V, 4V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LP01SS-TL-H

भाग स्टॉक: 1133

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.5V, 4V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LN01SS-TL-H

भाग स्टॉक: 1184

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 150mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.5V, 4V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LN01C-TB-H

भाग स्टॉक: 1110

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 150mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.5V, 4V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LN01S-K-TL-E

भाग स्टॉक: 9511

5LN01C-TB-EX

भाग स्टॉक: 2353

5HN01C-TB-EX

भाग स्टॉक: 2210

5HP01M-TL-H

भाग स्टॉक: 110639

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 50V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 70mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 22 Ohm @ 40mA, 10V,

5LN01M-TL-H

भाग स्टॉक: 114622

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 50V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.5V, 4V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5HP01S-TL-E

भाग स्टॉक: 1973

5HP01SS-TL-E

भाग स्टॉक: 142336

5HP01SS-TL-H

भाग स्टॉक: 108914

5HP01C-TB-H

भाग स्टॉक: 157648

5HP01M-TL-E

भाग स्टॉक: 1963

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 50V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 70mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 22 Ohm @ 40mA, 10V,

5HN01S-TL-E

भाग स्टॉक: 1979

5HP01C-TB-E

भाग स्टॉक: 6246

5HN01SS-TL-H

भाग स्टॉक: 146833

5HN01SS-TL-E

भाग स्टॉक: 154338

5HN01M-TL-E

भाग स्टॉक: 1932

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 50V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 7.5 Ohm @ 50mA, 10V,

5HN01M-TL-H

भाग स्टॉक: 102036

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 50V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 7.5 Ohm @ 50mA, 10V,

3N164

भाग स्टॉक: 1783

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 50mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 20V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 300 Ohm @ 100µA, 20V,

3N163-E3

भाग स्टॉक: 1851

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 40V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 50mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 20V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 250 Ohm @ 100µA, 20V,

3N163

भाग स्टॉक: 1830

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 40V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 50mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 20V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 250 Ohm @ 100µA, 20V,

3N163-2

भाग स्टॉक: 6254

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 40V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 50mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 20V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 250 Ohm @ 100µA, 20V,