| प्रकार | विवरण |
| भाग की स्थिति | Obsolete |
|---|---|
| एफईटी प्रकार | N-Channel |
| प्रौद्योगिकी | GaNFET (Gallium Nitride) |
| ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss) | 650V |
| करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू) | 10V |
| आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस | 130 mOhm @ 13A, 8V |
| वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी | 2.6V @ 300µA |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 14nC @ 8V |
| वीजीएस (अधिकतम) | ±18V |
| इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds | 760pF @ 400V |
| एफईटी फ़ीचर | - |
| बिजली अपव्यय (अधिकतम) | 96W (Tc) |
| परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C |
| माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole |
| आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज | TO-220AB |
| पैकेज / केस | TO-220-3 |
| RoHS स्थिति | RoHS कॉम्प्लाइंट |
|---|---|
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | लागू नहीं |
| जीवनसूचक स्थिति | अप्रचलित / जीवन का अंत |
| स्टॉक श्रेणी | मौजूदा भंडार |
