| प्रकार | विवरण |
| भाग की स्थिति | Active |
|---|---|
| प्रेरित विन्यास | Half-Bridge |
| चैनल प्रकार | Independent |
| ड्राइवरों की संख्या | 2 |
| गेट प्रकार | IGBT, N-Channel MOSFET |
| वोल्टेज आपूर्ति | 17V (Max) |
| लॉजिक वोल्टेज - VIL, VIH | 1.1V, 1.8V |
| वर्तमान - पीक आउटपुट (स्रोत, सिंक) | 400mA, 650mA |
| निवेष का प्रकार | Inverting |
| हाई साइड वोल्टेज - मैक्स (बूटस्ट्रैप) | 600V |
| उदय / पतन का समय (प्रकार) | 70ns, 40ns |
| परिचालन तापमान | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
| पैकेज / केस | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज | 8-SO |
| RoHS स्थिति | RoHS कॉम्प्लाइंट |
|---|---|
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | लागू नहीं |
| जीवनसूचक स्थिति | अप्रचलित / जीवन का अंत |
| स्टॉक श्रेणी | मौजूदा भंडार |
