| प्रकार | विवरण |
| भाग की स्थिति | Active |
|---|---|
| प्रेरित विन्यास | Half-Bridge |
| चैनल प्रकार | Independent |
| ड्राइवरों की संख्या | 2 |
| गेट प्रकार | IGBT, N-Channel MOSFET |
| वोल्टेज आपूर्ति | 10V ~ 20V |
| लॉजिक वोल्टेज - VIL, VIH | 0.8V, 2.7V |
| वर्तमान - पीक आउटपुट (स्रोत, सिंक) | 1.9A, 2.3A |
| निवेष का प्रकार | Non-Inverting |
| हाई साइड वोल्टेज - मैक्स (बूटस्ट्रैप) | 600V |
| उदय / पतन का समय (प्रकार) | 40ns, 20ns |
| परिचालन तापमान | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole |
| पैकेज / केस | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज | 8-PDIP |
| RoHS स्थिति | RoHS कॉम्प्लाइंट |
|---|---|
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | लागू नहीं |
| जीवनसूचक स्थिति | अप्रचलित / जीवन का अंत |
| स्टॉक श्रेणी | मौजूदा भंडार |
