| प्रकार | विवरण |
| भाग की स्थिति | Active |
|---|---|
| एफईटी प्रकार | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
| एफईटी फ़ीचर | GaNFET (Gallium Nitride) |
| ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss) | 100V |
| करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C | 1.7A, 500mA |
| आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस | 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V |
| वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
| इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds | 16pF @ 50V, 7pF @ 50V |
| शक्ति - मैक्स | - |
| परिचालन तापमान | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
| पैकेज / केस | 9-VFBGA |
| आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज | 9-BGA (1.35x1.35) |
| RoHS स्थिति | RoHS कॉम्प्लाइंट |
|---|---|
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | लागू नहीं |
| जीवनसूचक स्थिति | अप्रचलित / जीवन का अंत |
| स्टॉक श्रेणी | मौजूदा भंडार |
