| प्रकार | विवरण |
| भाग की स्थिति | Active |
|---|---|
| एफईटी प्रकार | N-Channel |
| प्रौद्योगिकी | GaNFET (Gallium Nitride) |
| ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss) | 100V |
| करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C | 1.7A (Ta) |
| ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू) | 5V |
| आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस | 550 mOhm @ 100mA, 5V |
| वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी | 2.5V @ 80µA |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 0.12nC @ 5V |
| वीजीएस (अधिकतम) | +6V, -4V |
| इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds | 14pF @ 50V |
| एफईटी फ़ीचर | - |
| बिजली अपव्यय (अधिकतम) | - |
| परिचालन तापमान | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
| आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज | Die |
| पैकेज / केस | Die |
| RoHS स्थिति | RoHS कॉम्प्लाइंट |
|---|---|
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | लागू नहीं |
| जीवनसूचक स्थिति | अप्रचलित / जीवन का अंत |
| स्टॉक श्रेणी | मौजूदा भंडार |
