प्रकार | विवरण |
भाग की स्थिति | Active |
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प्रेरित विन्यास | Half-Bridge |
चैनल प्रकार | Independent |
ड्राइवरों की संख्या | 2 |
गेट प्रकार | IGBT, N-Channel MOSFET |
वोल्टेज आपूर्ति | 10V ~ 20V |
लॉजिक वोल्टेज - VIL, VIH | 0.8V, 2.5V |
वर्तमान - पीक आउटपुट (स्रोत, सिंक) | 290mA, 600mA |
निवेष का प्रकार | Non-Inverting |
हाई साइड वोल्टेज - मैक्स (बूटस्ट्रैप) | 600V |
उदय / पतन का समय (प्रकार) | 70ns, 35ns |
परिचालन तापमान | -40°C ~ 150°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
पैकेज / केस | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज | 8-SO |
RoHS स्थिति | RoHS कॉम्प्लाइंट |
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नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | लागू नहीं |
जीवनसूचक स्थिति | अप्रचलित / जीवन का अंत |
स्टॉक श्रेणी | मौजूदा भंडार |