| प्रकार | विवरण |
| भाग की स्थिति | Active |
|---|---|
| एफईटी प्रकार | N-Channel |
| प्रौद्योगिकी | SiCFET (Silicon Carbide) |
| ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss) | 1200V |
| करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू) | 20V |
| आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस | 52 mOhm @ 40A, 20V |
| वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी | 2.8V @ 10mA |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 115nC @ 20V |
| वीजीएस (अधिकतम) | +25V, -10V |
| इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds | 1893pF @ 1000V |
| एफईटी फ़ीचर | - |
| बिजली अपव्यय (अधिकतम) | 330W (Tc) |
| परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole |
| आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज | TO-247-3 |
| पैकेज / केस | TO-247-3 |
| RoHS स्थिति | RoHS कॉम्प्लाइंट |
|---|---|
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | लागू नहीं |
| जीवनसूचक स्थिति | अप्रचलित / जीवन का अंत |
| स्टॉक श्रेणी | मौजूदा भंडार |
