डायोड - ब्रिज रेक्टीफायर्स

RMB6SHRCG

RMB6SHRCG

भाग स्टॉक: 115

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 500mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 400mA, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 600V,

DBLS158G C1G

DBLS158G C1G

भाग स्टॉक: 132

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 1.2kV, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 1.5A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 2µA @ 1200V,

DBL101G C1G

DBL101G C1G

भाग स्टॉक: 135

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 2µA @ 50V,

DBLS208G RDG

DBLS208G RDG

भाग स्टॉक: 136

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 1.2kV, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 2A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 2µA @ 1200V,

TS20P06G D2G

TS20P06G D2G

भाग स्टॉक: 70

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 20A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 20A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 10µA @ 800V,

GBU402 D2G

GBU402 D2G

भाग स्टॉक: 115

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 4A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 4A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 100V,

HDBLS102G RDG

HDBLS102G RDG

भाग स्टॉक: 126

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 1A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 100V,

DBLS155G RDG

DBLS155G RDG

भाग स्टॉक: 158

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1.5A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 2µA @ 600V,

HDBLS101G RDG

HDBLS101G RDG

भाग स्टॉक: 109

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 1A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 50V,

RDBLS207G C1G

RDBLS207G C1G

भाग स्टॉक: 123

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 1kV, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 2A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 2µA @ 1000V,

GBPC3501W T0G

GBPC3501W T0G

भाग स्टॉक: 128

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 35A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 17.5A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 100V,

TS35P07GHC2G

TS35P07GHC2G

भाग स्टॉक: 125

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 1kV, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 35A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 17.5A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 10µA @ 1000V,

TS6P05G C2G

TS6P05G C2G

भाग स्टॉक: 114

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 6A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 6A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 10µA @ 600V,

HDBL104G C1G

HDBL104G C1G

भाग स्टॉक: 129

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 1A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 400V,

DBLS151GHC1G

DBLS151GHC1G

भाग स्टॉक: 119

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1.5A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 2µA @ 50V,

GBPC3502W T0G

GBPC3502W T0G

भाग स्टॉक: 175

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 35A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 17.5A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 200V,

DBL105G C1G

DBL105G C1G

भाग स्टॉक: 87

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 2µA @ 600V,

TS10K40 D3G

TS10K40 D3G

भाग स्टॉक: 115

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 10A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 10µA @ 400V,

DBLS103GHRDG

DBLS103GHRDG

भाग स्टॉक: 109

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 2µA @ 200V,

GBL202HD2G

GBL202HD2G

भाग स्टॉक: 147

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 2A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 100V,

RDBLS207GHC1G

RDBLS207GHC1G

भाग स्टॉक: 151

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 1kV, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 2A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 2µA @ 1000V,

GBPC4001 T0G

GBPC4001 T0G

भाग स्टॉक: 127

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 40A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 20A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 10µA @ 1000V,

GBU601 D2G

GBU601 D2G

भाग स्टॉक: 164

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 6A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 6A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 50V,

TSS4B02G D2G

TSS4B02G D2G

भाग स्टॉक: 116

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 4A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 980mV @ 4A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 100V,

GBPC1504 T0G

GBPC1504 T0G

भाग स्टॉक: 176

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 7.5A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 400V,

GBLA005 D2G

GBLA005 D2G

भाग स्टॉक: 156

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 4A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 4A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 50V,

DBLS205GHRDG

DBLS205GHRDG

भाग स्टॉक: 169

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 2A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 2µA @ 600V,

TSS4B03GHD2G

TSS4B03GHD2G

भाग स्टॉक: 119

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 4A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 980mV @ 4A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 200V,

DBL151G C1G

DBL151G C1G

भाग स्टॉक: 101

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1.5A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 2µA @ 100V,

DBLS152GHRDG

DBLS152GHRDG

भाग स्टॉक: 168

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1.5A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 2µA @ 100V,

MBS8HRCG

MBS8HRCG

भाग स्टॉक: 111

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 500mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 400mA, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 800V,

DBL154GHC1G

DBL154GHC1G

भाग स्टॉक: 71

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1.5A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 2µA @ 400V,

GBPC3508M T0G

GBPC3508M T0G

भाग स्टॉक: 116

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 35A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 17.5A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 800V,

TS35P07G C2G

TS35P07G C2G

भाग स्टॉक: 145

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 1kV, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 35A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 17.5A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 10µA @ 1000V,

DBLS201G C1G

DBLS201G C1G

भाग स्टॉक: 155

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 2A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 2µA @ 50V,

TS25P07GHD2G

TS25P07GHD2G

भाग स्टॉक: 97

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 1kV, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 25A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 25A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 10µA @ 1000V,