डायोड - जेनर - सिंगल

BZT55C16 L0G

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भाग स्टॉक: 172

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BZX55B5V1 A0G

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भाग स्टॉक: 173

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BZX55B39 A0G

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भाग स्टॉक: 173

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BZX85C56 A0G

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भाग स्टॉक: 127

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BZT55C43 L0G

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भाग स्टॉक: 111

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BZT55B3V3 L0G

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भाग स्टॉक: 144

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BZX55B6V8 A0G

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भाग स्टॉक: 160

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BZX584B7V5 RKG

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भाग स्टॉक: 127

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BZT55C75 L0G

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भाग स्टॉक: 171

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BZX79C43 A0G

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भाग स्टॉक: 149

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भाग स्टॉक: 166

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BZX55B2V7 A0G

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भाग स्टॉक: 107

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BZT55B13 L0G

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भाग स्टॉक: 110

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 13V, सहनशीलता: ±2%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 26 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 10V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZX55C51 A0G

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भाग स्टॉक: 116

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BZT55C15 L0G

BZT55C15 L0G

भाग स्टॉक: 151

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 15V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 30 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 11V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZX85C3V6 A0G

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भाग स्टॉक: 104

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BZT55C47 L0G

BZT55C47 L0G

भाग स्टॉक: 114

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BZT55B3V9 L0G

BZT55B3V9 L0G

भाग स्टॉक: 115

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 3.9V, सहनशीलता: ±2%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 85 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 2µA @ 1V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZT55C27 L0G

BZT55C27 L0G

भाग स्टॉक: 177

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भाग स्टॉक: 142

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BZT55C36 L0G

BZT55C36 L0G

भाग स्टॉक: 182

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 36V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 80 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 27V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZX55B12 A0G

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भाग स्टॉक: 129

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 12V, सहनशीलता: ±2%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 20 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 9.1V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 100mA,

BZT55C62 L0G

BZT55C62 L0G

भाग स्टॉक: 177

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 62V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 150 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 47V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZX584B5V6 RKG

BZX584B5V6 RKG

भाग स्टॉक: 119

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 5.6V, सहनशीलता: ±2%, शक्ति - मैक्स: 150mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 40 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 1µA @ 2V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,

BZT55C3V9 L0G

BZT55C3V9 L0G

भाग स्टॉक: 121

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 3.9V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 85 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 2µA @ 1V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZT55B6V8 L0G

BZT55B6V8 L0G

भाग स्टॉक: 188

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 6.8V, सहनशीलता: ±2%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 8 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 3V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZT55C22 L0G

BZT55C22 L0G

भाग स्टॉक: 112

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 22V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 55 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 16V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZX55C47 A0G

BZX55C47 A0G

भाग स्टॉक: 162

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 47V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 110 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 35V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 100mA,

BZT55B39 L0G

BZT55B39 L0G

भाग स्टॉक: 114

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 39V, सहनशीलता: ±2%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 90 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 28V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZT55B6V2 L0G

BZT55B6V2 L0G

भाग स्टॉक: 123

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 6.2V, सहनशीलता: ±2%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 10 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 2V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZT55B2V7 L0G

BZT55B2V7 L0G

भाग स्टॉक: 108

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 2.7V, सहनशीलता: ±2%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 85 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 10µA @ 1V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZX79C4V3 A0G

BZX79C4V3 A0G

भाग स्टॉक: 141

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 4.3V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 90 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 1V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 100mA,

BZT55B15 L0G

BZT55B15 L0G

भाग स्टॉक: 113

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 15V, सहनशीलता: ±2%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 30 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 11V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZX55C27 A0G

BZX55C27 A0G

भाग स्टॉक: 121

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 27V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 80 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 20V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 100mA,

BZX55C4V7 A0G

BZX55C4V7 A0G

भाग स्टॉक: 135

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 4.7V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 60 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 500nA @ 1V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 100mA,

BZT55C68 L0G

BZT55C68 L0G

भाग स्टॉक: 188

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 68V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 160 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 51V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,