प्रकार: MEMS, आवृत्ति: XO (Standard), समारोह: 33.3333MHz, उत्पादन: Standby (Power Down), वोल्टेज आपूर्ति: CMOS, आवृत्ति स्थिरता: 1.71V ~ 3.63V,
प्रकार: MEMS, आवृत्ति: XO (Standard), समारोह: 33.333MHz, उत्पादन: Standby (Power Down), वोल्टेज आपूर्ति: CMOS, आवृत्ति स्थिरता: 1.71V ~ 3.63V,
प्रकार: Crystal, आवृत्ति: TCXO, समारोह: 19.2MHz, वोल्टेज आपूर्ति: LVCMOS, आवृत्ति स्थिरता: 3.3V,
प्रकार: Crystal, आवृत्ति: TCXO, समारोह: 40MHz, वोल्टेज आपूर्ति: LVCMOS, आवृत्ति स्थिरता: 3.3V,
प्रकार: Crystal, आवृत्ति: TCXO, समारोह: 26MHz, वोल्टेज आपूर्ति: Clipped Sine Wave, आवृत्ति स्थिरता: 3.3V,
प्रकार: Crystal, आवृत्ति: TCXO, समारोह: 24.576MHz, वोल्टेज आपूर्ति: LVCMOS, आवृत्ति स्थिरता: 3.3V,
प्रकार: Crystal, आवृत्ति: TCXO, समारोह: 20MHz, वोल्टेज आपूर्ति: Clipped Sine Wave, आवृत्ति स्थिरता: 3.3V,
प्रकार: Crystal, आवृत्ति: TCXO, समारोह: 16.384MHz, वोल्टेज आपूर्ति: Clipped Sine Wave, आवृत्ति स्थिरता: 3.3V,
प्रकार: Crystal, आवृत्ति: TCXO, समारोह: 40MHz, वोल्टेज आपूर्ति: Clipped Sine Wave, आवृत्ति स्थिरता: 3.3V,
प्रकार: Crystal, आवृत्ति: TCXO, समारोह: 19.44MHz, वोल्टेज आपूर्ति: Clipped Sine Wave, आवृत्ति स्थिरता: 3.3V,
प्रकार: Crystal, आवृत्ति: TCXO, समारोह: 20MHz, वोल्टेज आपूर्ति: LVCMOS, आवृत्ति स्थिरता: 3.3V,
प्रकार: Crystal, आवृत्ति: TCXO, समारोह: 25MHz, वोल्टेज आपूर्ति: Clipped Sine Wave, आवृत्ति स्थिरता: 3.3V,
प्रकार: Crystal, आवृत्ति: TCXO, समारोह: 30.72MHz, वोल्टेज आपूर्ति: LVCMOS, आवृत्ति स्थिरता: 3.3V,
प्रकार: Crystal, आवृत्ति: TCXO, समारोह: 16.384MHz, वोल्टेज आपूर्ति: LVCMOS, आवृत्ति स्थिरता: 3.3V,
प्रकार: Crystal, आवृत्ति: TCXO, समारोह: 26MHz, वोल्टेज आपूर्ति: LVCMOS, आवृत्ति स्थिरता: 3.3V,
प्रकार: Crystal, आवृत्ति: TCXO, समारोह: 25MHz, वोल्टेज आपूर्ति: LVCMOS, आवृत्ति स्थिरता: 3.3V,
प्रकार: Crystal, आवृत्ति: TCXO, समारोह: 19.2MHz, वोल्टेज आपूर्ति: Clipped Sine Wave, आवृत्ति स्थिरता: 3.3V,
प्रकार: Crystal, आवृत्ति: TCXO, समारोह: 19.44MHz, वोल्टेज आपूर्ति: LVCMOS, आवृत्ति स्थिरता: 3.3V,
प्रकार: MEMS, आवृत्ति: XO (Standard), समारोह: 33.33MHz, उत्पादन: Standby (Power Down), वोल्टेज आपूर्ति: CMOS, आवृत्ति स्थिरता: 1.71V ~ 3.63V,
प्रकार: Crystal, आवृत्ति: TCXO, समारोह: 30.72MHz, वोल्टेज आपूर्ति: Clipped Sine Wave, आवृत्ति स्थिरता: 3.3V,
प्रकार: Crystal, आवृत्ति: TCXO, समारोह: 24.576MHz, वोल्टेज आपूर्ति: Clipped Sine Wave, आवृत्ति स्थिरता: 3.3V,
प्रकार: MEMS, आवृत्ति: XO (Standard), समारोह: 32MHz, उत्पादन: Standby (Power Down), वोल्टेज आपूर्ति: CMOS, आवृत्ति स्थिरता: 1.71V ~ 3.63V,
प्रकार: MEMS, आवृत्ति: XO (Standard), समारोह: 31.25MHz, उत्पादन: Standby (Power Down), वोल्टेज आपूर्ति: CMOS, आवृत्ति स्थिरता: 1.71V ~ 3.63V,
प्रकार: MEMS, आवृत्ति: XO (Standard), समारोह: 30MHz, उत्पादन: Standby (Power Down), वोल्टेज आपूर्ति: CMOS, आवृत्ति स्थिरता: 1.71V ~ 3.63V,
प्रकार: MEMS, आवृत्ति: XO (Standard), समारोह: 3.57MHz, उत्पादन: Standby (Power Down), वोल्टेज आपूर्ति: CMOS, आवृत्ति स्थिरता: 1.71V ~ 3.63V,
प्रकार: MEMS, आवृत्ति: XO (Standard), समारोह: 3.6864MHz, उत्पादन: Standby (Power Down), वोल्टेज आपूर्ति: CMOS, आवृत्ति स्थिरता: 1.71V ~ 3.63V,
प्रकार: Crystal, आवृत्ति: TCXO, समारोह: 38.4MHz, वोल्टेज आपूर्ति: LVCMOS, आवृत्ति स्थिरता: 3.135V ~ 3.465V,
प्रकार: Crystal, आवृत्ति: TCXO, समारोह: 30.72MHz, वोल्टेज आपूर्ति: LVCMOS, आवृत्ति स्थिरता: 3.135V ~ 3.465V,
प्रकार: Crystal, आवृत्ति: TCXO, समारोह: 12.8MHz, वोल्टेज आपूर्ति: LVCMOS, आवृत्ति स्थिरता: 3.3V,
प्रकार: MEMS, आवृत्ति: XO (Standard), समारोह: 29.5MHz, उत्पादन: Standby (Power Down), वोल्टेज आपूर्ति: CMOS, आवृत्ति स्थिरता: 1.71V ~ 3.63V,
प्रकार: Crystal, आवृत्ति: TCXO, समारोह: 26MHz, वोल्टेज आपूर्ति: LVCMOS, आवृत्ति स्थिरता: 3.135V ~ 3.465V,
प्रकार: MEMS, आवृत्ति: XO (Standard), समारोह: 29.4912MHz, उत्पादन: Standby (Power Down), वोल्टेज आपूर्ति: CMOS, आवृत्ति स्थिरता: 1.71V ~ 3.63V,
प्रकार: MEMS, आवृत्ति: XO (Standard), समारोह: 28.6363MHz, उत्पादन: Standby (Power Down), वोल्टेज आपूर्ति: CMOS, आवृत्ति स्थिरता: 1.71V ~ 3.63V,
प्रकार: MEMS, आवृत्ति: XO (Standard), समारोह: 27MHz, उत्पादन: Standby (Power Down), वोल्टेज आपूर्ति: CMOS, आवृत्ति स्थिरता: 1.71V ~ 3.63V,
