प्रेरित विन्यास: High-Side or Low-Side, चैनल प्रकार: Independent, ड्राइवरों की संख्या: 2, गेट प्रकार: IGBT, वोल्टेज आपूर्ति: 14.5V ~ 15.5V,
प्रेरित विन्यास: High-Side or Low-Side, चैनल प्रकार: Independent, ड्राइवरों की संख्या: 2, गेट प्रकार: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, वोल्टेज आपूर्ति: 14.5V ~ 15.5V,
प्रेरित विन्यास: Half-Bridge, चैनल प्रकार: Independent, ड्राइवरों की संख्या: 2, गेट प्रकार: IGBT, वोल्टेज आपूर्ति: 14.5V ~ 15.5V,
