ट्रांजिस्टर - द्विध्रुवी (BJT) - सरणियाँ, पूर्व-पक | असतत अर्धचालक उत्पाद | 1

PBLS1504V,115

भाग स्टॉक: 1472

ट्रांजिस्टर प्रकार: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, 15V, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 22 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

इच्छा-सूची

NXP USA Inc.

PBLS4001V,115

भाग स्टॉक: 1384

ट्रांजिस्टर प्रकार: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, 40V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 2.2 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

इच्छा-सूची

NXP USA Inc.

PBLS4002V,115

भाग स्टॉक: 1498

ट्रांजिस्टर प्रकार: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, 40V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 4.7 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

इच्छा-सूची

NXP USA Inc.

PBLS2003S,115

भाग स्टॉक: 1383

ट्रांजिस्टर प्रकार: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, 3A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, 20V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 2A, 2V,

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NXP USA Inc.

PBLS4005V,115

भाग स्टॉक: 1428

ट्रांजिस्टर प्रकार: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, 40V, रोकनेवाला - आधार (R1): 47 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

इच्छा-सूची

NXP USA Inc.

PBLS4003V,115

भाग स्टॉक: 1458

ट्रांजिस्टर प्रकार: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, 40V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA. 2V,

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NXP USA Inc.

PBLS2002S,115

भाग स्टॉक: 1539

ट्रांजिस्टर प्रकार: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, 3A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, 20V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 4.7 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 2A, 2V,

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NXP USA Inc.

PBLS2001S,115

भाग स्टॉक: 1488

ट्रांजिस्टर प्रकार: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, 3A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, 20V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 2.2 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 2A, 2V,

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NXP USA Inc.

PUML1,115

भाग स्टॉक: 1500

ट्रांजिस्टर प्रकार: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 210 @ 2mA, 10V,

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NXP USA Inc.

PBLS4004V,115

भाग स्टॉक: 1464

ट्रांजिस्टर प्रकार: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, 40V, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 22 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

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NXP USA Inc.

PBLS1503V,115

भाग स्टॉक: 1388

ट्रांजिस्टर प्रकार: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, 15V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA. 2V,

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NXP USA Inc.

PBLS1502V,115

भाग स्टॉक: 1399

ट्रांजिस्टर प्रकार: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, 15V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 4.7 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

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