ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - सिंगल | असतत अर्धचालक उत्पाद | 6

2N6661

भाग स्टॉक: 6316

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 90V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 350mA (Tj), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 4 Ohm @ 1A, 10V,

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Microchip Technology

2N7008-G

भाग स्टॉक: 138197

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 230mA (Tj), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

2N6660

भाग स्टॉक: 6315

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 410mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3 Ohm @ 1A, 10V,

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Microchip Technology

2N7002-G

भाग स्टॉक: 134471

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 115mA (Tj), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

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2N7000-G

भाग स्टॉक: 187823

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 200mA (Tj), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

VP0550N3-G-P013

भाग स्टॉक: 53675

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 500V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 54mA (Tj), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 125 Ohm @ 10mA, 10V,

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TN2540N3-G-P002

भाग स्टॉक: 74193

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 400V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 175mA (Tj), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 12 Ohm @ 500mA, 10V,

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MCP87030T-U/MF

भाग स्टॉक: 103880

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 25V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3.5 mOhm @ 20A, 10V,

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MCP87050T-U/MF

भाग स्टॉक: 146526

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 25V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 5 mOhm @ 20A, 10V,

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VN0300L-G-P002

भाग स्टॉक: 81152

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 640mA (Tj), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.2 Ohm @ 1A, 10V,

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VN1206L-G-P002

भाग स्टॉक: 58212

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 120V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 230mA (Tj), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 2.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

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TN0620N3-G-P002

भाग स्टॉक: 71231

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 200V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 250mA (Tj), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

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TN2130K1-G

भाग स्टॉक: 145339

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 300V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 85mA (Tj), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 25 Ohm @ 120mA, 4.5V,

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VN0104N3-G-P013

भाग स्टॉक: 139578

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 40V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 350mA (Tj), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3 Ohm @ 1A, 10V,

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TN2640LG-G

भाग स्टॉक: 51374

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 400V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 260mA (Tj), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

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VP2206N3-G-P003

भाग स्टॉक: 46577

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 640mA (Tj), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 900 mOhm @ 3.5A, 10V,

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TP2502N8-G

भाग स्टॉक: 77492

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 630mA (Tj), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 2 Ohm @ 1A, 10V,

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TP2435N8-G

भाग स्टॉक: 67130

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 350V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 231mA (Tj), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 3V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 15 Ohm @ 500mA, 10V,

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MCP87022T-U/MF

भाग स्टॉक: 69227

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 25V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 2.3 mOhm @ 25A, 10V,

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TN0610N3-G-P013

भाग स्टॉक: 89494

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 500mA (Tj), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 3V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.5 Ohm @ 750mA, 10V,

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LND150N3-G-P013

भाग स्टॉक: 183588

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 500V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 30mA (Tj), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 0V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

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DN1509N8-G

भाग स्टॉक: 131170

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 90V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 360mA (Tj), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 0V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 6 Ohm @ 200mA, 0V,

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TN0106N3-G-P003

भाग स्टॉक: 112566

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 350mA (Tj), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

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TN0604N3-G-P013

भाग स्टॉक: 87261

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 40V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 700mA (Tj), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 750 mOhm @ 1.5A, 10V,

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MCP87090T-U/LC

भाग स्टॉक: 199305

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 25V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 48A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 10.5 mOhm @ 10V,

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DN2535N3-G-P013

भाग स्टॉक: 124551

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 350V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 120mA (Tj), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 0V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 25 Ohm @ 120mA, 0V,

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LND150N3-G-P014

भाग स्टॉक: 183620

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 500V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 30mA (Tj), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 0V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

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Microchip Technology

TN0610N3-G-P003

भाग स्टॉक: 89433

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 500mA (Tj), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 3V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.5 Ohm @ 750mA, 10V,

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TP2424N8-G

भाग स्टॉक: 69759

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 240V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 316mA (Tj), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 8 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

MCP87090T-U/MF

भाग स्टॉक: 183616

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 25V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 64A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 10.5 mOhm @ 10V,

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TN0104N3-G-P014

भाग स्टॉक: 96882

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 40V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 450mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 3V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.8 Ohm @ 1A, 10V,

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TP2520N8-G

भाग स्टॉक: 72715

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 200V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 260mA (Tj), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 12 Ohm @ 200mA, 10V,

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VN10KN3-G-P014

भाग स्टॉक: 174398

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 310mA (Tj), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

VN2460N3-G-P003

भाग स्टॉक: 77538

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 600V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 160mA (Tj), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 20 Ohm @ 100mA, 10V,

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Microchip Technology

TN2425N8-G

भाग स्टॉक: 77566

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 25V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 480mA (Tj), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 3V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3.5 Ohm @ 500mA, 10V,

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MIC94051YM4-TR

भाग स्टॉक: 191644

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 6V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.8V, 4.5V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 160 mOhm @ 100mA, 4.5V,

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