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ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 8, बिट्स की संख्या: 10, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 50M, डेटा इंटरफ़ेस: Serial LVDS, निवेश सीमा: 1.4Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 767mW @ 50MSPS,
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ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 12, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 420k, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, निवेश सीमा: ±VREF/2, पावर (टाइप) @ शर्तें: 10mW @ 420kSPS,
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ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 12, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 94.4k, डेटा इंटरफ़ेस: I²C, Serial,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 14, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 50, डेटा इंटरफ़ेस: Serial, निवेश सीमा: ±VREF, पावर (टाइप) @ शर्तें: 4.35mW @ 50SPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 12, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 87k, डेटा इंटरफ़ेस: SPI, निवेश सीमा: ±10V,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 12, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 75k, डेटा इंटरफ़ेस: Serial, निवेश सीमा: 0 ~ 4.096V,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 500k, डेटा इंटरफ़ेस: DSP, MICROWIRE™, QSPI™, Serial, SPI™, निवेश सीमा: 0 ~ 5V, पावर (टाइप) @ शर्तें: 35.4mW @ 500kSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 12, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 400k, डेटा इंटरफ़ेस: Serial, निवेश सीमा: ±VREF/2, पावर (टाइप) @ शर्तें: 13.75mW @ 400kSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 1M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, निवेश सीमा: ±4.096V, पावर (टाइप) @ शर्तें: 273mW @ 1MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 4, बिट्स की संख्या: 24, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 64k, डेटा इंटरफ़ेस: DSP, MICROWIRE™, QSPI™, Serial, SPI™, निवेश सीमा: ±2.2V,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 12, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 133k, डेटा इंटरफ़ेस: Serial, निवेश सीमा: ±VREF/2, पावर (टाइप) @ शर्तें: 2.7mW @ 133kSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 12, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 100k, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, निवेश सीमा: ±10V,
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ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 12, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 500k, डेटा इंटरफ़ेस: Serial, निवेश सीमा: ±5V, पावर (टाइप) @ शर्तें: 210mW @ 500kSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 6, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 90M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, निवेश सीमा: 500mVpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 215mW @ 90MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 14, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 308k, डेटा इंटरफ़ेस: Serial, निवेश सीमा: ±5V, पावर (टाइप) @ शर्तें: 213mW @ 308kSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 2, बिट्स की संख्या: 12, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 80M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, निवेश सीमा: ±1.024V, पावर (टाइप) @ शर्तें: 760mW @ 80MSPS,
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ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 500k, डेटा इंटरफ़ेस: DSP, MICROWIRE™, QSPI™, Serial, SPI™, निवेश सीमा: ±5V, पावर (टाइप) @ शर्तें: 40.5mW @ 500kSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 200k, डेटा इंटरफ़ेस: Serial, निवेश सीमा: ±12V, पावर (टाइप) @ शर्तें: 55mW @ 200kSPS,
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ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 10, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 10k, डेटा इंटरफ़ेस: SPI, निवेश सीमा: 0 ~ VREF,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 24, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 16k, डेटा इंटरफ़ेस: I²C, निवेश सीमा: ±VREF,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 18, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 480, डेटा इंटरफ़ेस: Serial, निवेश सीमा: ±VREF/gain, पावर (टाइप) @ शर्तें: 16.9mW @ 480SPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 12, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 94k, डेटा इंटरफ़ेस: Serial, निवेश सीमा: ±VREF/2, पावर (टाइप) @ शर्तें: 3.35mW @ 94kSPS,