संवेदन दूरी: 1.5mm, संवेदन विधि: Reflective, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 20mA, उत्पादन का प्रकार: Photodiode,
संवेदन दूरी: 1.5mm, संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 20V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 60mA, उत्पादन का प्रकार: Phototransistor,
संवेदन दूरी: 1.5mm, संवेदन विधि: Reflective, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 30mA, उत्पादन का प्रकार: Photodiode,
संवेदन दूरी: 1.5mm, संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 20V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 40mA, उत्पादन का प्रकार: Phototransistor,
संवेदन दूरी: 1.5mm, संवेदन विधि: Reflective, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 40mA, उत्पादन का प्रकार: Photodiode,
संवेदन दूरी: 1.5mm, संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 20V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 50mA, उत्पादन का प्रकार: Phototransistor,
संवेदन दूरी: 1.5mm, संवेदन विधि: Reflective, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 60mA, उत्पादन का प्रकार: Photodiode,
संवेदन दूरी: 1.5mm, संवेदन विधि: Reflective, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 20V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, करंट - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम): 30mA, उत्पादन का प्रकार: Phototransistor,
