ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - सिंगल | असतत अर्धचालक उत्पाद | 1

IXFH6N100F

भाग स्टॉक: 6599

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 1000V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 6A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.9 Ohm @ 3A, 10V,

इच्छा-सूची

IXYS-RF

IXFH12N100F

भाग स्टॉक: 125

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 1000V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 12A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.05 Ohm @ 6A, 10V,

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IXYS-RF

IXFX21N100F

भाग स्टॉक: 3059

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 1000V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 21A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 500 mOhm @ 10.5A, 10V,

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IXYS-RF

IXFX24N100F

भाग स्टॉक: 2464

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 1000V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 24A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 390 mOhm @ 12A, 10V,

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IXYS-RF

IXRFSM12N100

भाग स्टॉक: 614

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 1000V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 12A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 15V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.05 Ohm @ 6A, 15V,

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IXYS-RF

IXFK21N100F

भाग स्टॉक: 2862

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 1000V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 21A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 500 mOhm @ 10.5A, 10V,

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IXYS-RF

IXFT6N100F

भाग स्टॉक: 5466

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 1000V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 6A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.9 Ohm @ 3A, 10V,

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IXYS-RF

IXFH21N50F

भाग स्टॉक: 5374

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 500V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 21A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 250 mOhm @ 10.5A, 10V,

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IXYS-RF

IXFK55N50F

भाग स्टॉक: 2379

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 500V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 55A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 85 mOhm @ 27.5A, 10V,

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IXYS-RF

IXFN55N50F

भाग स्टॉक: 1580

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 500V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 55A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 85 mOhm @ 27.5A, 10V,

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IXYS-RF

IXRFSM18N50

भाग स्टॉक: 628

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 500V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 19A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 20V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 340 mOhm @ 9.5A, 20V,

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IXYS-RF

IXFN24N100F

भाग स्टॉक: 1582

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 1000V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 24A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 390 mOhm @ 12A, 10V,

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IXYS-RF

IXFK24N100F

भाग स्टॉक: 2428

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 1000V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 24A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 390 mOhm @ 12A, 10V,

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IXYS-RF

IXFH12N50F

भाग स्टॉक: 6291

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 500V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 12A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 400 mOhm @ 6A, 10V,

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IXYS-RF

IXFT12N100F

भाग स्टॉक: 5101

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 1000V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 12A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.05 Ohm @ 6A, 10V,

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IXYS-RF

IXFX55N50F

भाग स्टॉक: 2357

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 500V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 55A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 85 mOhm @ 27.5A, 10V,

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IXYS-RF

IXFK44N50F

भाग स्टॉक: 2210

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 500V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 44A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 120 mOhm @ 22A, 10V,

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