प्रेरित विन्यास: Half-Bridge, चैनल प्रकार: Independent, ड्राइवरों की संख्या: 4, गेट प्रकार: N-Channel MOSFET, वोल्टेज आपूर्ति: 8.5V ~ 15V, लॉजिक वोल्टेज - VIL, VIH: 1V, 2.5V,
प्रेरित विन्यास: High-Side or Low-Side, चैनल प्रकार: Single, ड्राइवरों की संख्या: 1, गेट प्रकार: IGBT, वोल्टेज आपूर्ति: 4.5V ~ 16.5V, लॉजिक वोल्टेज - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
प्रेरित विन्यास: Half-Bridge, चैनल प्रकार: Independent, ड्राइवरों की संख्या: 2, गेट प्रकार: N-Channel MOSFET, वोल्टेज आपूर्ति: 9V ~ 14V, लॉजिक वोल्टेज - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
प्रेरित विन्यास: Half-Bridge, चैनल प्रकार: Synchronous, ड्राइवरों की संख्या: 2, गेट प्रकार: N-Channel MOSFET, वोल्टेज आपूर्ति: 8V ~ 14V, लॉजिक वोल्टेज - VIL, VIH: 1.8V, 4V,
प्रेरित विन्यास: Half-Bridge, चैनल प्रकार: Synchronous, ड्राइवरों की संख्या: 2, गेट प्रकार: N-Channel MOSFET, वोल्टेज आपूर्ति: 6.8V ~ 13.2V,
प्रेरित विन्यास: Half-Bridge, चैनल प्रकार: Independent, ड्राइवरों की संख्या: 2, गेट प्रकार: N-Channel MOSFET, वोल्टेज आपूर्ति: 8V ~ 14V, लॉजिक वोल्टेज - VIL, VIH: 3.7V, 7.4V,
प्रेरित विन्यास: Half-Bridge, चैनल प्रकार: Independent, ड्राइवरों की संख्या: 4, गेट प्रकार: N-Channel MOSFET, वोल्टेज आपूर्ति: 9.5V ~ 15V, लॉजिक वोल्टेज - VIL, VIH: 1V, 2.5V,
प्रेरित विन्यास: Half-Bridge, चैनल प्रकार: Synchronous, ड्राइवरों की संख्या: 2, गेट प्रकार: N-Channel MOSFET, वोल्टेज आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, लॉजिक वोल्टेज - VIL, VIH: 1V, 2V,
प्रेरित विन्यास: Half-Bridge, चैनल प्रकार: Synchronous, ड्राइवरों की संख्या: 2, गेट प्रकार: N-Channel MOSFET, वोल्टेज आपूर्ति: 10.8V ~ 13.2V,
प्रेरित विन्यास: Low-Side, चैनल प्रकार: Independent, ड्राइवरों की संख्या: 2, गेट प्रकार: N-Channel MOSFET, वोल्टेज आपूर्ति: 4.5V ~ 16V, लॉजिक वोल्टेज - VIL, VIH: 1.85V, 3.15V,
प्रेरित विन्यास: High-Side or Low-Side, चैनल प्रकार: Synchronous, ड्राइवरों की संख्या: 2, गेट प्रकार: IGBT, N-Channel MOSFET, वोल्टेज आपूर्ति: 4.5V ~ 16V, लॉजिक वोल्टेज - VIL, VIH: 0.6V, 2.4V,
प्रेरित विन्यास: Low-Side, चैनल प्रकार: Independent, ड्राइवरों की संख्या: 2, गेट प्रकार: N-Channel MOSFET, वोल्टेज आपूर्ति: 4.5V ~ 16V, लॉजिक वोल्टेज - VIL, VIH: 1.22V, 2.08V,
प्रेरित विन्यास: High-Side or Low-Side, चैनल प्रकार: Independent, ड्राइवरों की संख्या: 2, गेट प्रकार: N-Channel MOSFET, वोल्टेज आपूर्ति: 4.5V ~ 15V, लॉजिक वोल्टेज - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
प्रेरित विन्यास: High-Side or Low-Side, चैनल प्रकार: Independent, ड्राइवरों की संख्या: 4, गेट प्रकार: N-Channel, P-Channel MOSFET, वोल्टेज आपूर्ति: 4.5V ~ 18V, लॉजिक वोल्टेज - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
प्रेरित विन्यास: Half-Bridge, चैनल प्रकार: Synchronous, ड्राइवरों की संख्या: 4, गेट प्रकार: N-Channel MOSFET, वोल्टेज आपूर्ति: 10.8V ~ 13.2V,
प्रेरित विन्यास: Half-Bridge, चैनल प्रकार: 3-Phase, ड्राइवरों की संख्या: 6, गेट प्रकार: N-Channel MOSFET, वोल्टेज आपूर्ति: 7V ~ 15V, लॉजिक वोल्टेज - VIL, VIH: 1V, 2.5V,
प्रेरित विन्यास: Half-Bridge, चैनल प्रकार: Independent, ड्राइवरों की संख्या: 2, गेट प्रकार: N-Channel MOSFET, वोल्टेज आपूर्ति: 9V ~ 14V, लॉजिक वोल्टेज - VIL, VIH: 4V, 7V,
प्रेरित विन्यास: Half-Bridge, चैनल प्रकार: Independent, ड्राइवरों की संख्या: 2, गेट प्रकार: N-Channel MOSFET, वोल्टेज आपूर्ति: 8V ~ 14V, लॉजिक वोल्टेज - VIL, VIH: 1.4V, 2.2V,
प्रेरित विन्यास: Half-Bridge, चैनल प्रकार: Independent, ड्राइवरों की संख्या: 2, गेट प्रकार: N-Channel MOSFET, वोल्टेज आपूर्ति: 9V ~ 14V, लॉजिक वोल्टेज - VIL, VIH: 1.4V, 2.2V,
प्रेरित विन्यास: High-Side or Low-Side, चैनल प्रकार: Synchronous, ड्राइवरों की संख्या: 2, गेट प्रकार: IGBT, वोल्टेज आपूर्ति: 4.5V ~ 16.5V, लॉजिक वोल्टेज - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
