मेमोरी का आकार: 4.5K (512 x 9), समारोह: Asynchronous, डेटा गति: 28.5MHz, पहूंच समय: 25ns, वोल्टेज आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 80mA,
मेमोरी का आकार: 4.5K (64 x 36 x 2), समारोह: Synchronous, डेटा गति: 66.7MHz, पहूंच समय: 10ns, वोल्टेज आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 1mA,
मेमोरी का आकार: 4.5M (64K x 36 x 2), समारोह: Synchronous, डेटा गति: 66.7MHz, पहूंच समय: 10ns, वोल्टेज आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 400mA,
मेमोरी का आकार: 4.5M (64K x 36 x 2), समारोह: Synchronous, डेटा गति: 100MHz, पहूंच समय: 6.5ns, वोल्टेज आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 400mA,
मेमोरी का आकार: 2.25K (256 x 9), समारोह: Asynchronous, डेटा गति: 22.2MHz, पहूंच समय: 35ns, वोल्टेज आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 80mA,
मेमोरी का आकार: 2.25K (256 x 9), समारोह: Asynchronous, डेटा गति: 28.5MHz, पहूंच समय: 25ns, वोल्टेज आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 80mA,
मेमोरी का आकार: 2.5M (128K x 20)(256K x 10), समारोह: Synchronous, डेटा गति: 250MHz, पहूंच समय: 3.2ns, वोल्टेज आपूर्ति: 2.375V ~ 2.625V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 60mA,
मेमोरी का आकार: 1.25M (8K x 40 x 4), समारोह: Synchronous, डेटा गति: 200MHz, पहूंच समय: 3.6ns, वोल्टेज आपूर्ति: 2.375V ~ 2.625V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 260mA,
मेमोरी का आकार: 36K (1K x 36), समारोह: Synchronous, डेटा गति: 50MHz, पहूंच समय: 13ns, वोल्टेज आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 400µA,
मेमोरी का आकार: 2.25M (32K x 72), समारोह: Synchronous, डेटा गति: 66.7MHz, पहूंच समय: 10ns, वोल्टेज आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 75mA,
मेमोरी का आकार: 576K (64K x 9), समारोह: Asynchronous, डेटा गति: 28.5MHz, पहूंच समय: 25ns, वोल्टेज आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 120mA,
