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ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - सिंगल

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IPI075N15N3GHKSA1
Infineon Technologies

IPI075N15N3GHKSA1

भाग स्टॉक: 763

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 150V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 8V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 7.5 mOhm @ 100A, 10V,

इच्छा-सूची
SPI15N65C3XKSA1
Infineon Technologies

SPI15N65C3XKSA1

भाग स्टॉक: 32225

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 650V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 15A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 280 mOhm @ 9.4A, 10V,

इच्छा-सूची
IRF7704GTRPBF
Infineon Technologies

IRF7704GTRPBF

भाग स्टॉक: 624

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 40V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 46 mOhm @ 4.6A, 10V,

इच्छा-सूची
IPS50R520CP
Infineon Technologies

IPS50R520CP

भाग स्टॉक: 787

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 550V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 520 mOhm @ 3.8A, 10V,

इच्छा-सूची
IRF8707GPBF
Infineon Technologies

IRF8707GPBF

भाग स्टॉक: 896

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 11A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 11.9 mOhm @ 11A, 10V,

इच्छा-सूची
IPI60R250CPAKSA1
Infineon Technologies

IPI60R250CPAKSA1

भाग स्टॉक: 797

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 650V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 12A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 250 mOhm @ 7.8A, 10V,

इच्छा-सूची
IRFS4115-7PPBF
Infineon Technologies

IRFS4115-7PPBF

भाग स्टॉक: 836

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 150V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 105A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 11.8 mOhm @ 63A, 10V,

इच्छा-सूची
IPI100N04S303AKSA1
Infineon Technologies

IPI100N04S303AKSA1

भाग स्टॉक: 775

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 40V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 2.8 mOhm @ 80A, 10V,

इच्छा-सूची
IPI06CN10N G
Infineon Technologies

IPI06CN10N G

भाग स्टॉक: 755

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 6.5 mOhm @ 100A, 10V,

इच्छा-सूची
IPB05CN10N G
Infineon Technologies

IPB05CN10N G

भाग स्टॉक: 765

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 5.1 mOhm @ 100A, 10V,

इच्छा-सूची
IPP80N06S2LH5AKSA1
Infineon Technologies

IPP80N06S2LH5AKSA1

भाग स्टॉक: 831

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 55V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 80A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 5 mOhm @ 80A, 10V,

इच्छा-सूची
IPI024N06N3GXKSA1
Infineon Technologies

IPI024N06N3GXKSA1

भाग स्टॉक: 23226

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 120A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 2.4 mOhm @ 100A, 10V,

इच्छा-सूची
IPB80N06S2L07ATMA1
Infineon Technologies

IPB80N06S2L07ATMA1

भाग स्टॉक: 765

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 55V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 80A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 6.7 mOhm @ 60A, 10V,

इच्छा-सूची
IPB80N06S205ATMA1
Infineon Technologies

IPB80N06S205ATMA1

भाग स्टॉक: 822

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 55V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 80A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 4.8 mOhm @ 80A, 10V,

इच्छा-सूची
IPW50R350CPFKSA1
Infineon Technologies

IPW50R350CPFKSA1

भाग स्टॉक: 34124

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 550V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 10A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 350 mOhm @ 5.6A, 10V,

इच्छा-सूची
IPI90R800C3XKSA1
Infineon Technologies

IPI90R800C3XKSA1

भाग स्टॉक: 59550

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 900V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 800 mOhm @ 4.1A, 10V,

इच्छा-सूची
IPI35CN10N G
Infineon Technologies

IPI35CN10N G

भाग स्टॉक: 781

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 27A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 35 mOhm @ 27A, 10V,

इच्छा-सूची
IPD170N04NGBTMA1
Infineon Technologies

IPD170N04NGBTMA1

भाग स्टॉक: 788

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 40V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 30A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 17 mOhm @ 30A, 10V,

इच्छा-सूची
IPI070N06N G
Infineon Technologies

IPI070N06N G

भाग स्टॉक: 795

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 80A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 7 mOhm @ 80A, 10V,

इच्छा-सूची
IRFH7936TR2PBF
Infineon Technologies

IRFH7936TR2PBF

भाग स्टॉक: 832

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 54A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 4.8 mOhm @ 20A, 10V,

इच्छा-सूची
IPP50R250CPHKSA1
Infineon Technologies

IPP50R250CPHKSA1

भाग स्टॉक: 788

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 500V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 13A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 250 mOhm @ 7.8A, 10V,

इच्छा-सूची
IPB160N04S2L03ATMA1
Infineon Technologies

IPB160N04S2L03ATMA1

भाग स्टॉक: 800

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 40V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 160A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 2.7 mOhm @ 80A, 10V,

इच्छा-सूची
IPU78CN10N G
Infineon Technologies

IPU78CN10N G

भाग स्टॉक: 824

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 13A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 78 mOhm @ 13A, 10V,

इच्छा-सूची
IPP80N06S207AKSA1
Infineon Technologies

IPP80N06S207AKSA1

भाग स्टॉक: 805

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 55V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 80A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 6.6 mOhm @ 68A, 10V,

इच्छा-सूची
IRFS3107-7PPBF
Infineon Technologies

IRFS3107-7PPBF

भाग स्टॉक: 9551

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 75V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 240A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 2.6 mOhm @ 160A, 10V,

इच्छा-सूची
IRFR3707ZTRPBF
Infineon Technologies

IRFR3707ZTRPBF

भाग स्टॉक: 178734

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 56A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 9.5 mOhm @ 15A, 10V,

इच्छा-सूची
IPP22N03S4L15AKSA1
Infineon Technologies

IPP22N03S4L15AKSA1

भाग स्टॉक: 6103

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 22A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 14.9 mOhm @ 22A, 10V,

इच्छा-सूची
IPI50CN10NGHKSA1
Infineon Technologies

IPI50CN10NGHKSA1

भाग स्टॉक: 763

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 20A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 50 mOhm @ 20A, 10V,

इच्छा-सूची
IPI12CNE8N G
Infineon Technologies

IPI12CNE8N G

भाग स्टॉक: 834

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 85V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 67A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 12.6 mOhm @ 67A, 10V,

इच्छा-सूची
IPP80N04S204AKSA1
Infineon Technologies

IPP80N04S204AKSA1

भाग स्टॉक: 844

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 40V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 80A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3.7 mOhm @ 80A, 10V,

इच्छा-सूची
IPB80N06S207ATMA1
Infineon Technologies

IPB80N06S207ATMA1

भाग स्टॉक: 6100

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 55V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 80A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 6.3 mOhm @ 68A, 10V,

इच्छा-सूची
IPB80N06S2L11ATMA1
Infineon Technologies

IPB80N06S2L11ATMA1

भाग स्टॉक: 815

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 55V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 80A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 10.7 mOhm @ 60A, 10V,

इच्छा-सूची
IRFSL5620PBF
Infineon Technologies

IRFSL5620PBF

भाग स्टॉक: 702

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 200V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 24A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 77.5 mOhm @ 15A, 10V,

इच्छा-सूची
IRFR4620PBF
Infineon Technologies

IRFR4620PBF

भाग स्टॉक: 41008

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 200V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 24A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 78 mOhm @ 15A, 10V,

इच्छा-सूची
IRFR3411TRPBF
Infineon Technologies

IRFR3411TRPBF

भाग स्टॉक: 111662

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 32A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 44 mOhm @ 16A, 10V,

इच्छा-सूची
IPB80N06S2L-H5
Infineon Technologies

IPB80N06S2L-H5

भाग स्टॉक: 6126

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 55V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 80A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 4.7 mOhm @ 80A, 10V,

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