प्रकार: MOSFET, विन्यास: 1 Phase, वर्तमान: 40A, वोल्टेज: 1.2kV, वोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, पैकेज / केस: SOT-227-4, miniBLOC,
प्रकार: IGBT, विन्यास: 3 Phase, वर्तमान: 30A, वोल्टेज: 600V, वोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, पैकेज / केस: Power Module,
प्रकार: IGBT, विन्यास: 1 Phase, वर्तमान: 200A, वोल्टेज: 1.25kV, वोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, पैकेज / केस: SOT-227-4, miniBLOC,
प्रकार: MOSFET, विन्यास: Full Bridge, वर्तमान: 40A, वोल्टेज: 1.2kV, वोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, पैकेज / केस: Power Module,
प्रकार: MOSFET, वर्तमान: 95A, वोल्टेज: 1.2kV, वोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, पैकेज / केस: Power Module,
प्रकार: IGBT, विन्यास: 3 Phase, वर्तमान: 100A, वोल्टेज: 1.2kV, वोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, पैकेज / केस: Power Module,
प्रकार: IGBT, विन्यास: 3 Phase, वर्तमान: 100A, वोल्टेज: 600V, वोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, पैकेज / केस: Power Module,
प्रकार: MOSFET, विन्यास: Half Bridge, वर्तमान: 300A, वोल्टेज: 1.2kV, वोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, पैकेज / केस: Power Module,
प्रकार: IGBT, विन्यास: 3 Phase, वर्तमान: 150A, वोल्टेज: 1.2kV, वोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, पैकेज / केस: Power Module,
प्रकार: MOSFET, विन्यास: Half Bridge, वर्तमान: 480A, वोल्टेज: 1.2kV, वोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, पैकेज / केस: Power Module,
प्रकार: MOSFET, विन्यास: Half Bridge, वर्तमान: 240A, वोल्टेज: 1.2kV, वोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, पैकेज / केस: Power Module,
प्रकार: MOSFET, विन्यास: 3 Phase, वर्तमान: 80A, वोल्टेज: 1.2kV, वोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, पैकेज / केस: Power Module,
प्रकार: IGBT, विन्यास: Half Bridge, वर्तमान: 200A, वोल्टेज: 1.2kV, वोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, पैकेज / केस: Power Module,
प्रकार: MOSFET, विन्यास: Half Bridge, वर्तमान: 360A, वोल्टेज: 1.2kV, वोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, पैकेज / केस: Power Module,
प्रकार: MOSFET, विन्यास: 3 Phase, वर्तमान: 40A, वोल्टेज: 1.2kV, वोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, पैकेज / केस: Power Module,
प्रकार: IGBT, विन्यास: Half Bridge, वर्तमान: 400A, वोल्टेज: 1.2kV, वोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, पैकेज / केस: Power Module,
प्रकार: IGBT, विन्यास: 3 Phase, वर्तमान: 200A, वोल्टेज: 1.2kV, वोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, पैकेज / केस: Power Module,
प्रकार: MOSFET, वर्तमान: 42A, वोल्टेज: 1.2kV, वोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, पैकेज / केस: Power Module,
प्रकार: MOSFET, विन्यास: 1 Phase, वर्तमान: 120A, वोल्टेज: 1.2kV, वोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, पैकेज / केस: SOT-227-4, miniBLOC,
प्रकार: IGBT, विन्यास: 3 Phase, वर्तमान: 60A, वोल्टेज: 600V, वोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, पैकेज / केस: Power Module,
प्रकार: MOSFET, विन्यास: 1 Phase, वर्तमान: 60A, वोल्टेज: 1.2kV, वोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, पैकेज / केस: SOT-227-4, miniBLOC,
प्रकार: IGBT, विन्यास: 3 Phase, वर्तमान: 50A, वोल्टेज: 1.2kV, वोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, पैकेज / केस: Power Module,
वर्तमान: 150A, वोल्टेज: 1.7kV, वोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, पैकेज / केस: SOT-227-4, miniBLOC,
प्रकार: IGBT, विन्यास: 1 Phase, वर्तमान: 160A, वोल्टेज: 1.2kV, वोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, पैकेज / केस: SOT-227-4, miniBLOC,
प्रकार: IGBT, विन्यास: 1 Phase, वर्तमान: 120A, वोल्टेज: 1.2kV, वोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, पैकेज / केस: SOT-227-4, miniBLOC,
प्रकार: MOSFET, विन्यास: 1 Phase, वर्तमान: 200A, वोल्टेज: 1.2kV, वोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, पैकेज / केस: SOT-227-4, miniBLOC,
प्रकार: IGBT, विन्यास: 3 Phase, वर्तमान: 195A, वोल्टेज: 1.2kV, वोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, पैकेज / केस: Power Module,
