डायोड - रेक्टीफायर - सिंगल | असतत अर्धचालक उत्पाद | 21

MBRH200100R

भाग स्टॉक: 2515

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 200A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 840mV @ 200A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBRH200150

भाग स्टॉक: 2450

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 200A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 880mV @ 200A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

GKR130/12

भाग स्टॉक: 3049

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 165A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 60A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

GKN71/14

भाग स्टॉक: 12932

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 95A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 60A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

S150M

भाग स्टॉक: 2508

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 150A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 150A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR16KR05

भाग स्टॉक: 12913

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 16A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 16A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR16MR05

भाग स्टॉक: 12877

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 16A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 16A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

MURH10060

भाग स्टॉक: 3613

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 100A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.7V @ 100A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 110ns,

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GeneSiC Semiconductor

S6K

भाग स्टॉक: 15122

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 6A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 6A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

FR6JR05

भाग स्टॉक: 12903

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 6A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.4V @ 6A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBR3580R

भाग स्टॉक: 5654

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 35A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 840mV @ 35A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH240100R

भाग स्टॉक: 85

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 240A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 840mV @ 240A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GKR130/08

भाग स्टॉक: 3057

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 165A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 60A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GKR71/16

भाग स्टॉक: 9641

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 95A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 60A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

FR6DR02

भाग स्टॉक: 13694

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 6A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.4V @ 6A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

S70JR

भाग स्टॉक: 9627

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 70A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 70A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

FR40DR05

भाग स्टॉक: 9986

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 40A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 40A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBR3520R

भाग स्टॉक: 5703

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 35A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 680mV @ 35A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH20030R

भाग स्टॉक: 2602

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 200A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 650mV @ 200A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S12J

भाग स्टॉक: 14955

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 12A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 12A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR3535

भाग स्टॉक: 5726

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 35A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 680mV @ 35A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GKR130/18

भाग स्टॉक: 3078

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 165A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 60A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

GKN130/18

भाग स्टॉक: 3741

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 165A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 60A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

FR70DR05

भाग स्टॉक: 9635

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 70A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.4V @ 70A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBRH24020R

भाग स्टॉक: 125

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 240A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 720mV @ 240A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

FR6AR05

भाग स्टॉक: 15920

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 16A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.4V @ 6A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

GKR240/04

भाग स्टॉक: 2385

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 320A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.4V @ 60A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S6D

भाग स्टॉक: 23917

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 6A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 6A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S16Q

भाग स्टॉक: 12884

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 16A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 16A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S16JR

भाग स्टॉक: 12966

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 16A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 16A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

FR70D05

भाग स्टॉक: 9641

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 70A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.4V @ 70A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

GKN240/18

भाग स्टॉक: 2375

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 165A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 60A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S70KR

भाग स्टॉक: 9584

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 70A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 70A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S300DR

भाग स्टॉक: 1972

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 300A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 300A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S320K

भाग स्टॉक: 2022

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 320A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 300A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR2540R

भाग स्टॉक: 9606

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 25A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 25A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 75ns,

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