डायोड - रेक्टीफायर्स - Arrays

घर
डायोड - रेक्टीफायर्स - Arrays

GeneSiC Semiconductor

MUR10060CT

भाग स्टॉक: 1572

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.7V @ 50A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBR2X120A080

भाग स्टॉक: 3245

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 120A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 840mV @ 120A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBR120150CT

भाग स्टॉक: 1581

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 60A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 880mV @ 60A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBR40060CTR

भाग स्टॉक: 1274

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 400A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 800mV @ 200A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBRT30035

भाग स्टॉक: 1119

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 300A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 750mV @ 150A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBR30060CTR

भाग स्टॉक: 1410

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 300A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 750mV @ 150A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MURT40005

भाग स्टॉक: 1095

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 400A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 200A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBR2X160A200

भाग स्टॉक: 2399

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 160A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 920mV @ 160A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBR300100CTR

भाग स्टॉक: 1423

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 300A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 840mV @ 150A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MURTA60040

भाग स्टॉक: 1008

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 600A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 300A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBRT40040R

भाग स्टॉक: 1070

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 400A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 750mV @ 200A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBRT120200R

भाग स्टॉक: 1852

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 60A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 920mV @ 60A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MUR30040CT

भाग स्टॉक: 1392

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 300A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 100A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

FST12060

भाग स्टॉक: 1605

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 120A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 750mV @ 120A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBRT30080

भाग स्टॉक: 1303

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 300A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 880mV @ 150A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MSRT150160(A)D

भाग स्टॉक: 1898

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 150A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 150A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

FST120100

भाग स्टॉक: 1560

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 120A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 840mV @ 120A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MURT30060

भाग स्टॉक: 1126

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 300A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.7V @ 150A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

FST16020

भाग स्टॉक: 1480

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 20V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 160A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 750mV @ 160A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MSRTA30060(A)D

भाग स्टॉक: 1229

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 300A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 300A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MURTA50020

भाग स्टॉक: 1025

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 500A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 250A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBRT20080

भाग स्टॉक: 1395

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 880mV @ 100A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBR30020CTR

भाग स्टॉक: 1492

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 20V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 300A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 650mV @ 150A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBR30030CTR

भाग स्टॉक: 1432

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 300A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 650mV @ 150A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MUR10040CTR

भाग स्टॉक: 1524

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 50A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBR60020CTR

भाग स्टॉक: 941

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 20V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 300A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 750mV @ 300A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBRT300100

भाग स्टॉक: 1605

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 300A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 880mV @ 150A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MUR10020CT

भाग स्टॉक: 1540

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 50A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBRT600200

भाग स्टॉक: 963

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 300A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 920mV @ 300A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBRT300200R

भाग स्टॉक: 1564

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 150A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 920mV @ 150A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBR400150CTR

भाग स्टॉक: 1548

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 880mV @ 200A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBRT300150R

भाग स्टॉक: 1563

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 150A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 880mV @ 150A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBR200100CTR

भाग स्टॉक: 1533

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 840mV @ 100A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBR40080CTR

भाग स्टॉक: 1212

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 400A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 840mV @ 200A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBR20060CTR

भाग स्टॉक: 1519

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 750mV @ 100A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A045

भाग स्टॉक: 3870

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 50A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 700mV @ 50A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

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