डायोड - रेक्टीफायर्स - Arrays | असतत अर्धचालक उत्पाद | 25

MBRTA40020L

भाग स्टॉक: 4245

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 20V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 580mV @ 200A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBRF12060R

भाग स्टॉक: 4275

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 60A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 750mV @ 60A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBRT40040L

भाग स्टॉक: 4258

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 600mV @ 200A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBRTA40045RL

भाग स्टॉक: 4303

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 600mV @ 200A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBRTA80020L

भाग स्टॉक: 4233

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 20V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 400A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 580mV @ 400A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBRF50045R

भाग स्टॉक: 4203

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 250A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 750mV @ 250A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBRF200200R

भाग स्टॉक: 4205

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 920mV @ 100A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBRF60030R

भाग स्टॉक: 4236

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 300A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 650mV @ 300A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBRF60080R

भाग स्टॉक: 4250

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 300A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 840mV @ 250A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MURF40060

भाग स्टॉक: 4306

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.7V @ 200A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBRTA80080

भाग स्टॉक: 4293

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 400A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 840mV @ 400A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBRTA80030R

भाग स्टॉक: 4272

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 400A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 720mV @ 400A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBRF12080

भाग स्टॉक: 4189

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 60A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 840mV @ 60A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBRTA80045RL

भाग स्टॉक: 4278

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 400A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 600mV @ 400A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBRF60040R

भाग स्टॉक: 4283

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 300A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 650mV @ 300A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBRF50035R

भाग स्टॉक: 4245

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 250A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 750mV @ 250A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBR60035CTL

भाग स्टॉक: 4205

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 300A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 600mV @ 300A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBRF200150

भाग स्टॉक: 4237

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 880mV @ 100A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBR30040CTRL

भाग स्टॉक: 4163

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 150A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 600mV @ 150A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBRTA80035L

भाग स्टॉक: 4230

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 400A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 600mV @ 400A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBRF30040R

भाग स्टॉक: 4291

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 150A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 700mV @ 150A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBRF600100

भाग स्टॉक: 4253

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 250A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 840mV @ 250A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

FST6380M

भाग स्टॉक: 4208

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 30A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 840mV @ 30A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBRF200200

भाग स्टॉक: 4239

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 920mV @ 100A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MURF40005

भाग स्टॉक: 4307

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 200A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

FST6315M

भाग स्टॉक: 4423

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 15V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 30A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 700mV @ 30A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBRT40045RL

भाग स्टॉक: 4185

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 600mV @ 200A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBRTA60030

भाग स्टॉक: 4230

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 300A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 700mV @ 300A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

FST7330M

भाग स्टॉक: 4220

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 35A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 700mV @ 35A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

UFT7360M

भाग स्टॉक: 4241

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 70A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.7V @ 35A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBRT60045RL

भाग स्टॉक: 4186

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 300A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 600mV @ 300A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

FST83100M

भाग स्टॉक: 6711

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 80A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 840mV @ 80A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MURF10060R

भाग स्टॉक: 1343

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.7V @ 50A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

FST8335SM

भाग स्टॉक: 4418

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 80A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 650mV @ 80A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MURF10010R

भाग स्टॉक: 1342

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 50A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MURF20005

भाग स्टॉक: 1290

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 100A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची