डायोड - रेक्टीफायर्स - Arrays

घर
डायोड - रेक्टीफायर्स - Arrays

GeneSiC Semiconductor

MSRT25060(A)

भाग स्टॉक: 1332

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 250A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 250A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MSRTA500120(A)

भाग स्टॉक: 811

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 500A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 500A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MSRT15080(A)

भाग स्टॉक: 1880

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 800V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 150A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 150A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MSRT150120(A)

भाग स्टॉक: 1845

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 150A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 150A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MSRT150140(A)

भाग स्टॉक: 1876

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1400V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 150A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 150A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MSRTA400160(A)

भाग स्टॉक: 1213

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 400A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 400A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MSRTA500140(A)

भाग स्टॉक: 729

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1400V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 500A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 500A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MSRT250120(A)

भाग स्टॉक: 1374

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 250A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 250A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBR60040CTR

भाग स्टॉक: 665

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 300A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 750mV @ 300A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MSRT150160(A)

भाग स्टॉक: 1872

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 150A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 150A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MSRT20080(A)

भाग स्टॉक: 1478

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 800V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 200A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MSRTA400120(A)

भाग स्टॉक: 1232

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 400A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 400A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MSRTA500160(A)

भाग स्टॉक: 811

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 500A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 500A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MSRTA400140(A)

भाग स्टॉक: 1275

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1400V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 400A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 400A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MSRT200140(A)

भाग स्टॉक: 1492

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1400V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 200A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MSRT25080(A)

भाग स्टॉक: 1344

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 800V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 250A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 250A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MSRTA40080(A)

भाग स्टॉक: 1195

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 800V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 400A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 400A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MSRT250160(A)

भाग स्टॉक: 1410

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 250A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 250A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MSRT200160(A)

भाग स्टॉक: 1484

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 200A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MSRTA30080(A)

भाग स्टॉक: 1311

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 800V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 300A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 300A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MSRTA500100(A)

भाग स्टॉक: 789

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 500A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 500A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MUR2X100A02

भाग स्टॉक: 2965

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 100A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MSRT20060(A)

भाग स्टॉक: 1570

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 200A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MSRT15060(A)

भाग स्टॉक: 1934

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 150A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 150A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MSRT150100(A)

भाग स्टॉक: 1879

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 150A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 150A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MSRTA400100(A)

भाग स्टॉक: 1207

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 400A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 400A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MUR2X030A02

भाग स्टॉक: 3697

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 60A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 30A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MSRTA50060(A)

भाग स्टॉक: 795

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 500A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 500A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MSRT250140(A)

भाग स्टॉक: 1411

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1400V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 250A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 250A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBR200100CTS

भाग स्टॉक: 1445

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 950mV @ 100A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A180

भाग स्टॉक: 2631

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 180V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 920mV @ 100A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBRT30035R

भाग स्टॉक: 1154

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 300A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 750mV @ 150A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MURT40040R

भाग स्टॉक: 980

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.35V @ 200A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBR50045CT

भाग स्टॉक: 1065

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 500A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 750mV @ 250A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBR12045CTR

भाग स्टॉक: 1320

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 120A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 650mV @ 60A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBR2X060A045

भाग स्टॉक: 3248

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 120A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 700mV @ 60A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

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