प्रकार: Power Management, समारोह: Half H-Bridge Driver (External FET), एम्बेडेड: No, प्रयुक्त आईसी / भाग: EPC2010, प्राथमिक गुण: 200V, 5A Max Output GaNFET Capability, आपूर्ति की गई सामग्री: Board(s),
प्रकार: Power Management, समारोह: Half H-Bridge Driver (External FET), एम्बेडेड: No, प्रयुक्त आईसी / भाग: EPC2007, प्राथमिक गुण: 100V, 5A Max Output GaNFET Capability, आपूर्ति की गई सामग्री: Board(s),
प्रकार: Power Management, समारोह: Half H-Bridge Driver (External FET), एम्बेडेड: No, प्रयुक्त आईसी / भाग: EPC2025, प्राथमिक गुण: 300V, 3A Max Output GaNFET Capability, आपूर्ति की गई सामग्री: Board(s),
प्रकार: Power Management, समारोह: Half H-Bridge Driver (External FET), एम्बेडेड: No, प्रयुक्त आईसी / भाग: EPC2001, प्राथमिक गुण: 100V, 10A Max Output GaNFET Capability, आपूर्ति की गई सामग्री: Board(s),
प्रकार: Power Management, समारोह: Wireless Power Supply/Charging, एम्बेडेड: No, प्रयुक्त आईसी / भाग: EPC2007, EPC8009, प्राथमिक गुण: Transmitter, आपूर्ति की गई सामग्री: Board(s),
प्रकार: Power Management, समारोह: Half H-Bridge Driver (External FET), एम्बेडेड: No, प्रयुक्त आईसी / भाग: EPC2016, प्राथमिक गुण: 100V, 7A Max Output GaNFET Capability, आपूर्ति की गई सामग्री: Board(s),
प्रकार: Power Management, समारोह: Half H-Bridge Driver (External FET), एम्बेडेड: No, प्रयुक्त आईसी / भाग: EPC2014, प्राथमिक गुण: 40V, 5A Max Output GaNFET Capability, आपूर्ति की गई सामग्री: Board(s),
प्रकार: Power Management, समारोह: Half H-Bridge Driver (External FET), एम्बेडेड: No, प्रयुक्त आईसी / भाग: EPC2012, प्राथमिक गुण: 200V, 3A Max Output GaNFET Capability, आपूर्ति की गई सामग्री: Board(s),
प्रकार: Power Management, समारोह: Half H-Bridge Driver (External FET), एम्बेडेड: No, प्रयुक्त आईसी / भाग: EPC8007, प्राथमिक गुण: 40V, 4A Max Output GaNFET Capability, आपूर्ति की गई सामग्री: Board(s),
प्रकार: Power Management, समारोह: Half H-Bridge Driver (External FET), एम्बेडेड: No, प्रयुक्त आईसी / भाग: EPC2001, प्राथमिक गुण: 100V, 10A Max Output GaNFET Capability, आपूर्ति की गई सामग्री: Board(s),
प्रकार: Power Management, समारोह: Half H-Bridge Driver (External FET), एम्बेडेड: No, प्रयुक्त आईसी / भाग: EPC2015, प्राथमिक गुण: 40V, 15A Max Output GaNFET Capability, आपूर्ति की गई सामग्री: Board(s),
प्रकार: Power Management, समारोह: Wireless Power Supply/Charging, एम्बेडेड: No, प्रयुक्त आईसी / भाग: EPC2019, EPC2036, EPC2107, आपूर्ति की गई सामग्री: Board(s),
प्रकार: Power Management, समारोह: Half H-Bridge Driver (External FET), एम्बेडेड: No, प्रयुक्त आईसी / भाग: EPC2035, प्राथमिक गुण: 60V, 4A Max Output GaNFET Capability, आपूर्ति की गई सामग्री: Board(s),
प्रकार: Power Management, समारोह: Wireless Power Supply/Charging, एम्बेडेड: No, प्रयुक्त आईसी / भाग: EPC2019, EPC2036, EPC2108, आपूर्ति की गई सामग्री: Board(s),
प्रकार: Power Management, समारोह: Half H-Bridge Driver (External FET), एम्बेडेड: No, प्रयुक्त आईसी / भाग: EPC2029, प्राथमिक गुण: 80V, 22A Max Output GaNFET Capability, आपूर्ति की गई सामग्री: Board(s),
