डायोड - जेनर - सिंगल

BZT52C2V7S-7

BZT52C2V7S-7

भाग स्टॉक: 8074

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BZT52C2V4S-7

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भाग स्टॉक: 8072

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BZT52C24-7

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भाग स्टॉक: 8062

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BZT52C24S-7

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भाग स्टॉक: 8078

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 24V, सहनशीलता: ±6%, शक्ति - मैक्स: 200mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 70 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 16.8V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,

BZT52C22-7

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भाग स्टॉक: 8099

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BZT52C20S-7

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भाग स्टॉक: 8097

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BZT52C18S-7

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भाग स्टॉक: 8019

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BZT52C18-7

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भाग स्टॉक: 8071

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 18V, सहनशीलता: ±6%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 45 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 12.6V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,

BZT52C16-7

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भाग स्टॉक: 8006

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BZT52C15S-7

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भाग स्टॉक: 8097

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BZT52C15-7

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भाग स्टॉक: 8009

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 15V, सहनशीलता: ±6%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 30 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 10.5V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,

BZT52C13-7

BZT52C13-7

भाग स्टॉक: 3803

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 13V, सहनशीलता: ±6%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 30 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 8V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,

BZT52C13S-7

BZT52C13S-7

भाग स्टॉक: 8072

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 13V, सहनशीलता: ±6%, शक्ति - मैक्स: 200mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 30 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 8V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,

BZT52C11-7

BZT52C11-7

भाग स्टॉक: 8007

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BZT52C8V2-13

BZT52C8V2-13

भाग स्टॉक: 8010

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 8.2V, सहनशीलता: ±6%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 15 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 700nA @ 5V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,

BZT52C9V1-13

BZT52C9V1-13

भाग स्टॉक: 3827

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 9.1V, सहनशीलता: ±6%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 15 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 500nA @ 6V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,

BZT52C6V2-13

BZT52C6V2-13

भाग स्टॉक: 8086

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 6.2V, सहनशीलता: ±6%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 10 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 3µA @ 4V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,

BZT52C6V8-13

BZT52C6V8-13

भाग स्टॉक: 8059

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 6.8V, सहनशीलता: ±6%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 15 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 2µA @ 4V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,

BZT52C5V1-13

BZT52C5V1-13

भाग स्टॉक: 8070

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 5.1V, सहनशीलता: ±6%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 60 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 2µA @ 2V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,

BZT52C3V6-13

BZT52C3V6-13

भाग स्टॉक: 3819

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 3.6V, सहनशीलता: ±6%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 90 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 1V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,

BZT52C47-13

BZT52C47-13

भाग स्टॉक: 8001

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 47V, सहनशीलता: ±6%, शक्ति - मैक्स: 410mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 100 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 35V,

BZT52C3V0-13

BZT52C3V0-13

भाग स्टॉक: 8023

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 3V, सहनशीलता: ±7%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 95 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 10µA @ 1V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,

BZT52C39-13

BZT52C39-13

भाग स्टॉक: 8033

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 39V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 130 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 27.3V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,

BZT52C36-13

BZT52C36-13

भाग स्टॉक: 8069

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 36V, सहनशीलता: ±6%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 90 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 25.2V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,

BZT52C24-13

BZT52C24-13

भाग स्टॉक: 3836

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 24V, सहनशीलता: ±6%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 70 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 16.8V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,

BZT52C30-13

BZT52C30-13

भाग स्टॉक: 8024

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 30V, सहनशीलता: ±7%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 80 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 21V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,

BZT52C18-13

BZT52C18-13

भाग स्टॉक: 8060

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 18V, सहनशीलता: ±6%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 45 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 12.6V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,

BZT52C22-13

BZT52C22-13

भाग स्टॉक: 8067

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 22V, सहनशीलता: ±6%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 55 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 15.4V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,

BZT52C16-13

BZT52C16-13

भाग स्टॉक: 8058

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 16V, सहनशीलता: ±6%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 40 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 11.2V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,

BZT52C15-13

BZT52C15-13

भाग स्टॉक: 8024

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 15V, सहनशीलता: ±6%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 30 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 10.5V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,

BZT52C13-13

BZT52C13-13

भाग स्टॉक: 8032

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 13V, सहनशीलता: ±6%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 30 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 8V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,

BZT52C11-13

BZT52C11-13

भाग स्टॉक: 3842

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 11V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 20 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 8V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,

BZX84C4V3W-7

BZX84C4V3W-7

भाग स्टॉक: 8071

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 4.3V, सहनशीलता: ±7%, शक्ति - मैक्स: 200mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 90 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 3µA @ 1V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,

BZX84C13W-7

BZX84C13W-7

भाग स्टॉक: 8073

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 13V, सहनशीलता: ±6%, शक्ति - मैक्स: 200mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 30 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 8V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,

BZT52C16S-7

BZT52C16S-7

भाग स्टॉक: 8077

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 16V, सहनशीलता: ±6%, शक्ति - मैक्स: 200mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 40 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 11.2V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,

BZT52C12S-7

BZT52C12S-7

भाग स्टॉक: 8049

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 12V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 200mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 25 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 8V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,