प्रोग्राम करने योग्य प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, विलंब समय tpd(1) अधिकतम: 10.0ns, वोल्टेज आपूर्ति - आंतरिक: 4.5V ~ 5.5V, मैक्रोसेल्स की संख्या: 64,
प्रोग्राम करने योग्य प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, विलंब समय tpd(1) अधिकतम: 20.0ns, वोल्टेज आपूर्ति - आंतरिक: 3V ~ 3.6V, मैक्रोसेल्स की संख्या: 256,
प्रोग्राम करने योग्य प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) Flash, विलंब समय tpd(1) अधिकतम: 10.0ns, वोल्टेज आपूर्ति - आंतरिक: 2.5V, 3.3V, मैक्रोसेल्स की संख्या: 1536, गेट्स की संख्या: 144000,
प्रोग्राम करने योग्य प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) Flash, विलंब समय tpd(1) अधिकतम: 10.0ns, वोल्टेज आपूर्ति - आंतरिक: 2.5V, 3.3V, मैक्रोसेल्स की संख्या: 3072, गेट्स की संख्या: 288000,
प्रोग्राम करने योग्य प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, विलंब समय tpd(1) अधिकतम: 10.0ns, वोल्टेज आपूर्ति - आंतरिक: 4.75V ~ 5.25V, मैक्रोसेल्स की संख्या: 256,
प्रोग्राम करने योग्य प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, विलंब समय tpd(1) अधिकतम: 10.0ns, वोल्टेज आपूर्ति - आंतरिक: 4.75V ~ 5.25V, मैक्रोसेल्स की संख्या: 64,
प्रोग्राम करने योग्य प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, विलंब समय tpd(1) अधिकतम: 10.0ns, वोल्टेज आपूर्ति - आंतरिक: 4.75V ~ 5.25V, मैक्रोसेल्स की संख्या: 32,
प्रोग्राम करने योग्य प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, विलंब समय tpd(1) अधिकतम: 12.0ns, वोल्टेज आपूर्ति - आंतरिक: 3V ~ 3.6V, मैक्रोसेल्स की संख्या: 192,
प्रोग्राम करने योग्य प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, विलंब समय tpd(1) अधिकतम: 15.0ns, वोल्टेज आपूर्ति - आंतरिक: 3V ~ 3.6V, मैक्रोसेल्स की संख्या: 128,
प्रोग्राम करने योग्य प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, विलंब समय tpd(1) अधिकतम: 10.0ns, वोल्टेज आपूर्ति - आंतरिक: 4.75V ~ 5.25V, मैक्रोसेल्स की संख्या: 128,
प्रोग्राम करने योग्य प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, विलंब समय tpd(1) अधिकतम: 8.5ns, वोल्टेज आपूर्ति - आंतरिक: 3V ~ 3.6V, मैक्रोसेल्स की संख्या: 32,
प्रोग्राम करने योग्य प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, विलंब समय tpd(1) अधिकतम: 10.0ns, वोल्टेज आपूर्ति - आंतरिक: 4.5V ~ 5.5V, मैक्रोसेल्स की संख्या: 128,
प्रोग्राम करने योग्य प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, विलंब समय tpd(1) अधिकतम: 20.0ns, वोल्टेज आपूर्ति - आंतरिक: 3V ~ 3.6V, मैक्रोसेल्स की संख्या: 192,
प्रोग्राम करने योग्य प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) Flash, विलंब समय tpd(1) अधिकतम: 10.0ns, वोल्टेज आपूर्ति - आंतरिक: 4.5V ~ 5.5V, मैक्रोसेल्स की संख्या: 64,
प्रोग्राम करने योग्य प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, विलंब समय tpd(1) अधिकतम: 10.0ns, वोल्टेज आपूर्ति - आंतरिक: 4.75V ~ 5.25V, मैक्रोसेल्स की संख्या: 192,
प्रोग्राम करने योग्य प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, विलंब समय tpd(1) अधिकतम: 15.0ns, वोल्टेज आपूर्ति - आंतरिक: 2.5V, 3.3V, मैक्रोसेल्स की संख्या: 1536, गेट्स की संख्या: 144000,
प्रोग्राम करने योग्य प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, विलंब समय tpd(1) अधिकतम: 7.5ns, वोल्टेज आपूर्ति - आंतरिक: 4.5V ~ 5.5V, मैक्रोसेल्स की संख्या: 64,
प्रोग्राम करने योग्य प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, विलंब समय tpd(1) अधिकतम: 15.0ns, वोल्टेज आपूर्ति - आंतरिक: 3V ~ 3.6V, मैक्रोसेल्स की संख्या: 512,
